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本发明涉及核辐射探测技术领域,提供一种溴化镧晶体内嵌稳峰源的方法,其内嵌稳峰源采用电镀镅241源,电镀源片外形为φ10mm×1mm,基底采用不锈钢材质,α粒子表面发射率~800cps;安装基座采用聚四氟乙烯配合PCB准直器制作而成,具有良好...该专利属于中国船舶重工集团公司第七一九研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国船舶重工集团公司第七一九研究所授权不得商用。
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本发明涉及核辐射探测技术领域,提供一种溴化镧晶体内嵌稳峰源的方法,其内嵌稳峰源采用电镀镅241源,电镀源片外形为φ10mm×1mm,基底采用不锈钢材质,α粒子表面发射率~800cps;安装基座采用聚四氟乙烯配合PCB准直器制作而成,具有良好...