【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及生产适合于电子应用的金属粉末的方法，更具体地，涉及生产具有微细均匀的颗粒尺寸和高结晶度的金属粉末的方法，该粉末作为导电糊中使用的导电粉末是有用的，还涉及通过该方法生产的金属粉末、导电糊、和多层陶瓷电子元件。
技术介绍
在用来形成电子电路的导电糊中使用的导电金属粉末方面有如下要求这些粉末含有很少的杂质，该粉末是平均颗粒尺寸细至O. 01 μ m- ο μ m的微细颗粒，该颗粒尺寸和颗粒形状是均匀的，和该粉末具有不聚集的良好的分散性。此外，该粉末还必须在糊中具有良好的分散性，以及良好的结晶性使得不存在不均匀的烧结。尤其是，在这种粉末用于形成诸如多层电容器、多层电感器等的多层陶瓷电子元件中的内部导体或外部导体的情况下，除了更微细和具有均匀的颗粒尺寸和形状以将电极形成为薄膜之外，还要求导电金属粉末对在烧制期间由氧化和还原引起的膨胀和收缩的发生具有抗性并且具有高的烧结起始温度以防止诸如分层或开裂的结构缺陷。从而，需要具有球状、低活性和高结晶性的亚微米尺寸的金属粉末。用于生产这种高结晶性金属粉末的传统方法的例子包括化学气相沉积(CVD)，其中在高温下用还原气体...
【技术保护点】
一种用于生产高结晶性金属粉末的方法，该方法包括：将由一种或多种可热解的金属化合物粉末组成的原料粉末与载气一起通过喷嘴喷出到反应容器中；和通过在温度T2下加热该原料粉末来生产金属粉末，该温度T2高于该原料粉末的分解温度且不低于(Tm?200)℃，其中Tm为待生产的金属的熔点(℃)，同时允许原料粉末在其以10g/升以下的浓度分散在气相中的状态下通过反应容器，其中将喷嘴开口部分的周围温度T1设定为400℃以上且低于(Tm?200)℃的温度。
【技术特征摘要】
2011.09.02 JP 2011-1911981.一种用于生产高结晶性金属粉末的方法，该方法包括 将由一种或多种可热解的金属化合物粉末组成的原料粉末与载气一起通过喷嘴喷出到反应容器中；和 通过在温度T2下加热该原料粉末来生产金属粉末，该温度T2高于该原料粉末的分解温度且不低于(Tm-200) °C，其中Tm为待生产的金属的熔点(°C )，同时允许原料粉末在其以IOg/升以下的浓度分散在气相中的状态下通过反应容器， 其中将喷嘴开口部分的周围温度T1设定为400°C以上且低...
【专利技术属性】
技术研发人员：秋本裕二，永岛和郎，家田秀康，前川雅之，
申请(专利权)人：昭荣化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。