热式空气流量传感器制造技术

本发明专利技术的目的在于提供抑制形成于表面的最近处（最上层）的硅氧化膜的吸湿，降低计测误差的热式空气流量传感器。为了达成上述目的，本发明专利技术的热式空气流量传感器，对形成于表面的最近处（最上层）的硅氧化膜（4）使用硅、氧或者氩、氮等惰性元素中的至少某一种原子或者分子进行离子注入，使硅氧化膜（4）所含的原子的浓度比进行离子注入前高。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及空气流量计中所用的测定元件，也即具备发热电阻体和计测温度的测温电阻体而测定空气流量的热式空气流量传感器。
技术介绍
作为空气流量计，能够直接探测空气量的热式的空气流量计是主流。特别地，在具备通过半导体微加工技术制造的测定元件的热式的空气流量计中，能够降低成本、能够以低电力进行驱动，所以备受瞩目。作为这样的热式的空气流量计中所用的测定元件(热式空气流量传感器)，有日本特开平10-311750号公报提出的形式。该公报所提出的热式空气流量传感器，在半导体基板上形成电绝缘膜，在该电绝缘膜上形成发热电阻体、测温电阻体，进而在发热电阻体、测温电阻体之上形成有电绝缘体。此外，形成发热电阻体、测温电阻体的区域，通过从半导体基板的背面侧进行异向性蚀刻来去除半导体基板的一部分而形成膜片(diaphragm)构造。现有技术文献专利文献1:日本特开平10-311750号公报
技术实现思路
在日本特开平10-311750号公报所提出的热式空气流量传感器中，形成了发热电阻体、测温电阻体的区域为膜片构造，表面直接暴露于环境中。该热式空气流量传感器的表面由电绝缘膜覆盖着，而作为该电绝缘膜使用由常用CVD本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.07.23 JP 2010-1654491.一种热式空气流量传感器，具有半导体基板、形成于所述半导体基板上的发热电阻体和测温电阻体、包含硅氧化膜的电绝缘体、以及去除半导体基板的一部分而形成的膜片部，所述发热电阻体以及所述测温电阻体形成于所述膜片部上，在所述发热电阻体以及所述测温电阻体的上层具备作为电绝缘体而形成的硅氧化膜，该热式空气流量传感器的特征在于，通过对配置于最上层的硅氧化膜注入离子，使至少覆盖所述膜片部的区域的、所述硅氧化膜所含的原子的浓度高于进行注入离子前的所述硅氧化膜。2.根据权利要求1所述的热式空气流量传感器，其特征在于，在所述硅氧化膜的膜厚方向上，在表面侧的至少一部分的范围形成离子注入层。3.根据权利要求2所述的热式空气流量传感器，其特征在于，具备通过将硅热氧化而在所述半导体基板上形成的热氧化膜、对于所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：石塚典男，南谷林太郎，半泽惠二，
申请(专利权)人：日立汽车系统株式会社，
类型：
国别省市：