一种膜厚传感器制造技术

本发明专利技术实施例提供了一种膜厚传感器，属于蒸镀领域，以使Mg材料易于附着在膜厚传感器上，从而避免Mg材料的浪费。所述膜厚传感器，在所述膜厚传感器的表面上涂覆有Mg或Mg/MgO膜层。本发明专利技术可用于膜厚传感器的生产中。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术实施例提供了一种膜厚传感器，属于蒸镀领域，以使Mg材料易于附着在膜厚传感器上，从而避免Mg材料的浪费。所述膜厚传感器，在所述膜厚传感器的表面上涂覆有Mg或Mg/MgO膜层。本专利技术可用于膜厚传感器的生产中。【专利说明】一种膜厚传感器
本专利技术涉及蒸镀领域，尤其涉及一种蒸镀用膜厚传感器。
技术介绍
在现有的OLED面板生产中，通常选用Mg/Ag合金作为阴极材料，并通过蒸镀的方 法将阴极材料蒸镀到基板玻璃上。为了精确地监控蒸镀到基板上的阴极材料的膜厚度，通 常会在Mg和Ag蒸发源上设有膜厚传感器，一般情况下，所选用的膜厚传感器为石英膜厚传 感器。 -般来说，为了满足连续生产的需要，通常会在同一金属蒸镀腔室内设计有两个 蒸发源，一个为主Mg蒸发源，另一个则为备用Mg蒸发源（两个蒸发源包含两个与之相对应 的膜厚传感器）。但在实际生产中，本专利技术人发现，Mg蒸汽很难附着在石英膜厚传感器上， 换言之，Mg蒸汽附着在石英膜厚传感器上的速度非常慢，通常情况下Mg蒸汽从开始蒸发到 膜厚传感器上到其蒸发速率达到稳定阶段大概需要1小时，不仅时间过长，还无疑会造成 Mg材料在很大程度上的浪费。 所以，为了克服上述技术问题，提供一种使Mg材料易于附着，可有效避免Mg材料 浪费的膜厚传感器是本领域技术人员所面临的重要课题。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了一种膜厚传感器，以使Mg材料易于附着在膜厚传感器上，从 而避免Mg材料的浪费。 为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案： -种膜厚传感器，在所述膜厚传感器的表面上涂覆有Mg或Mg/MgO膜层。 可选的，所述Mg或Mg/MgO膜层的厚度为5-IOnm。 进一步的，所述Mg或Mg/MgO膜层的厚度为8nm。 可选的，所述Mg/MgO膜层中MgO膜层的厚度为2-3nm。 可选的，所述Mg/MgO膜层中Mg和MgO膜层的厚度比为1:0. 25-1.5。 进一步的，所述Mg/MgO膜层的厚度为5nm时，所述Mg和MgO膜层的厚度比为 1:0. 67-1. 5〇 或者，所述Mg/MgO膜层的厚度为8nm时，所述Mg和MgO膜层的厚度比为 1:0. 3~0, 6〇 或者，所述Mg/MgO膜层的厚度为IOnm时，所述Mg和MgO膜层的厚度比为 1:0. 25-0. 45〇 一种如上述技术方案所提供的膜厚传感器的制备方法，包括： 在温度600-700°C的高真空无氧条件下，将Mg材料蒸镀在膜厚传感器上，形成Mg膜层膜厚传感器；或 在温度600-70(TC的高真空无氧条件下，将Mg材料蒸镀在膜厚传感器上，形成Mg 膜层膜厚传感器；将所述Mg膜层膜厚传感器继续放置在温度30-45°C的含氧氩气中60-70 秒后，Mg膜层表面部分氧化成MgO,形成Mg/MgO膜层膜厚传感器。 可选的，所述含氧氩气中氧气浓度为5-6%。 本专利技术实施例提供了一种膜厚传感器，其主要改进点在于在膜厚传感器的表面涂 覆有Mg或Mg/MgO膜层。一般情况下所选用的膜厚传感器多为石英膜厚传感器，由于石英 与Mg原子自身属性差异，使得蒸镀材料Mg很难附着在石英材料上。本专利技术实施例通过在 膜厚传感器的表面上预先涂覆一层Mg或Mg/MgO膜层，使得蒸镀材料Mg更容易地附着在Mg 或Mg/MgO膜层上，这样不仅可减少Mg蒸汽从开始蒸发到膜厚传感器上到其蒸发速率达到 稳定时的时间，还可避免Mg材料在达到速率稳定阶段前造成的材料浪费。 【具体实施方式】 下面将对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施 例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通 技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范 围。 本专利技术实施例提供了一种膜厚传感器，在所述膜厚传感器的表面上涂覆有Mg或Mg/MgO膜层。 本专利技术实施例提供的膜厚传感器为石英膜厚传感器，由于石英的主要成分为二氧 化硅，属于非金属矿物质，而蒸镀材料Mg属于金属元素，由于二者的自身属性不同，使得Mg 材料在蒸镀时很难附着在石英膜厚传感器的表面上，在该条件下，如要达到Mg材料稳定的 蒸发速率，则时间必定会很长，也会在很大程度上浪费Mg材料。在本实施例中，通过在石英 膜厚传感器的表面上预先蒸镀一层Mg或Mg/MgO膜层，这样，由于蒸镀材料Mg与Mg或Mg/ MgO膜层的元素性质一致，这就可使Mg材料在蒸镀时较容易地附着在石英膜厚传感器表面 上所涂覆的Mg或Mg/MgO膜层上,从而减少Mg材料在蒸发至其稳定蒸发速率的时间,进而 减少由此而浪费的Mg材料。 可以理解的是，在本专利技术实施例中，在石英膜厚传感器表面上还可预先蒸镀其它 易于Mg材料附着的膜层，如可预先蒸镀与Mg同属IIA族的其它元素材料，以及IA和IIIA 族中的元素材料。 本专利技术实施例提供了一种膜厚传感器，其主要改进点在于在膜厚传感器的表面涂 覆有Mg或Mg/MgO膜层。一般情况下所选用的膜厚传感器多为石英膜厚传感器，由于石英 与Mg原子自身属性差异，使得蒸镀材料Mg很难附着在石英材料上。本专利技术实施例通过在 膜厚传感器的表面上预先涂覆一层Mg或Mg/MgO膜层，使得蒸镀材料Mg更容易地附着在Mg 或Mg/MgO膜层上，这样不仅可减少Mg蒸汽从开始蒸发到膜厚传感器上到其蒸发速率达到 稳定时的时间，还可避免Mg材料在达到速率稳定阶段前造成的材料浪费。 在本专利技术的一实施例中，所述Mg或Mg/MgO膜层的厚度为5-10nm。在本专利技术实施 例中，在膜厚传感器的表面上可涂覆有Mg膜层或Mg/MgO膜层，但无论是上述膜层中的哪一 种，其涂覆厚度均为5-10nm。这是因为如若涂覆的膜层厚度大于10nm，会显著减少膜厚传 感器的使用寿命，而如若膜层厚度小于5nm，则在Mg材料蒸发时很难在膜厚传感器上形成 均一的膜层。在本专利技术的一优选实施例中，所述Mg或Mg/MgO膜层的厚度为8nm。将所述 Mg或Mg/MgO膜层的厚度设置为8nm，一方面可形成均一的膜层，另一方面还可在保证石英 膜厚传感器的使用寿命的前提下，减少所使用的Mg材料。 在本专利技术的另一实施例中，所述Mg/MgO膜层中MgO膜层的厚度为2_3nm。其中， Mg/MgO膜层中的MgO膜层是在Mg膜层的基础上进一步氧化得到的，在本实施例中，MgO膜 层的厚度为2-3nm。在Mg膜层的基础上氧化得到MgO膜层可有利于附着有Mg膜层的膜厚 传感器在生产、储存、运输等任意环境下操作，而无需担心金属Mg会被氧气氧化为MgO,从 而可降低Mg膜层膜厚传感器的工艺复杂度以及生产成本。 在本专利技术的又一实施例中，所述Mg/MgO膜层中Mg和MgO膜层的厚度比为 1:0. 25-1. 5。本专利技术所提供的Mg/MgO膜层的厚度为5-10nm，所形成的MgO膜层的厚度为 2-3nm，这样，在该范围内，Mg/MgO膜层中的Mg和MgO膜层的厚度比约为1:0. 25-1.5。其 中，在本专利技术的一可选实施例中，所述Mg/MgO膜层的厚度为5nm时，所述Mg和MgO膜层的 厚度比为1:0.本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种膜厚传感器，其特征在于，在所述膜厚传感器的表面上涂覆有Mg或Mg/MgO膜层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：肖昂，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京;11