一种电感耦合式的等离子体处理装置及其基片处理方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种电感耦合式的等离子体处理装置及其基片处理方法，通过设置导磁材料制成的磁力线调整部件，构成一准闭合的低磁阻通路作为磁力线回路在反应腔外流通的路径，所述低磁阻通路将感应磁场的大部分磁力线路径进行规范，以此收集原先发散的大部分磁场能量，从而使反应腔的磁场强度倍增；或者，仅需要比现有更少的能源供给，就能以同样的磁场强度生成处理用的等离子体，提高了能源的利用效率。还显著减少RF电磁泄漏，降低对环境的电磁干扰，减低设备的发热，增加了系统的可靠性与稳定性。磁力线调整部件设置了相对延伸的突出部分与两个磁极相对应，使两个磁极之间的磁力线为均匀线性分布，以改善基片表面的等离子体分布的均匀性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，特别涉及一 种可以规范磁力线路径以收集发散能量的电感耦合式的等离子体处理装置及其基片处理 方法。
技术介绍
目前在对半导体器件的制造过程中，通常使用电感耦合式的等离子体处理装置 (ICP)来产生反应气体50的等离子体，对基片30进行蚀刻等加工处理。如图1中所示，现有电感耦合式的等离子体发生器(ICP)，往往在真空的反应腔20 内弓I入反应气体50。在反应腔20外周围的顶部(或底部或侧壁)设置有感应线圈40并施加 第一射频源RF1，由此产生的感应磁场会在线圈轴向感应出射频电场，从而在反应腔20内 产生所述反应气体50的等离子体，对由反应腔20底部静电吸盘21 (ESC)固定的基片30 进行蚀刻处理。然而，上述由第一射频源RFl产生的感应磁场，其磁力线410的分布如图1中虚线 所示，可见，在所述基片30上方磁力线410的分布不均匀，会造成对应基片30中心及边缘 位置的等离子体密度也不均匀，从而影响所述基片30上径向不同位置的刻蚀均匀性。另外，由于所述第一射频源RFl产生的感应磁场是开放式磁场，其大部分能量丧 失，仅有位于基片30上方的一小部分用来生成所述等离子体，能源的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电感耦合式的等离子体处理装置，包含：引入有反应气体（50）的反应腔（20）；所述反应腔（20）包含固定待处理基片（30）的底部基座，以及与之相对的反应腔顶部；所述反应腔（20）外周围设置有感应线圈（40），其与第一射频源（RF1）连接产生一感应磁场，其特征在于，还包含：在反应腔（20）外周围设置的由导磁材料制成的磁力线调整部件（10），该导磁材料的磁阻小于空气或真空的磁阻，该磁力线调整部件（10）在反应腔（20）外周围构成一个准闭合的低磁阻通路（41）；使所述感应线圈（40）产生的磁力线沿所述低磁阻通路（41）构成一个磁力线回路，所述磁力线回路穿过反应腔（20）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘忠笃，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海有限公司，
类型：发明
国别省市：