半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及半导体装置。在一个实施例中，一种半导体装置具有基底、第一半导体芯片、电极、第一和第二连接部件以及第一和第二密封部件。所述电极被设置在所述第一半导体芯片上并包含Al。所述第一连接部件电连接所述电极和所述基底，并包含Au或Cu。所述第一密封部件密封所述第一半导体芯片和所述第一连接部件。一个或多个第二半导体芯片层叠在所述第一密封部件上。所述第二密封部件密封所述第一连接部件、所述一个或多个第二半导体芯片以及一个或多个第二连接部件。所述第一密封部件中的Cl离子和Br离子的总重量W1与所述第一密封部件和所述基底的树脂的重量W0的比率小于等于7.5ppm。

【技术实现步骤摘要】

本文中描述的实施例一般涉及其中层叠有多个半导体芯片的半导体装置。
技术介绍
存在这样的半导体封装，其中，存储器芯片(存储器元件)和控制向/从该存储器芯片写入和读取的控制芯片(控制元件，系统LSI)被层叠。为了以该方式层叠控制芯片和存储器芯片，存在使用多个半导体封装(多封装结构)的方式和使用单个半导体封装(单封装结构)的方式。在多封装结构中，控制芯片的半导体封装和存储器芯片的半导体封装被层叠(封装上封装(Package On Package))。在单封装结构中，控制芯片和存储器芯片被并列设置或层叠在一个基底上，从而形成半导体封装。在多封装结构中，可以在每个半导体封装中的芯片与基底之间设置连接，从而便于高速操作。然而，多封装结构在厚度和成本上不利。另一方面，单封装结构在厚度和成本上比多封装结构有利。然而，芯片与基底之间的连接关系倾向于复杂。此外，从长期来看，确保封装中的电连接的可靠性变难。
技术实现思路
本专利技术的实施例实现能够确保封装中的电连接的可靠性的半导体装置。在一个实施例中，一种半导体装置具有基底、第一半导体芯片、电极、第一和第二连接部件以及第一和第二密封部件。所述第一半导体芯片本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，包括：基底；第一半导体芯片，其被设置在所述基底上；电极，其被设置在所述第一半导体芯片上并包含Al；第一连接部件，其电连接所述电极和所述基底，并包含Au或Cu；第一密封部件，其密封所述第一半导体芯片和所述第一连接部件；一个或多个第二半导体芯片，其层叠在所述第一密封部件上；一个或多个第二连接部件，其电连接所述一个或多个第二半导体芯片和所述基底；第二密封部件，其密封所述第一连接部件、所述一个或多个第二半导体芯片以及所述一个或多个第二连接部件；以及所述第一密封部件中的Cl离子和Br离子的总重量W1与所述第一密封部件和所述基底的树脂的重量W0的比率小于等于7.5ppm。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：井本孝志，安藤善康，谷本亮，岩本正次，竹本康男，田口英男，武部直人，宫下浩一，田中润，石田胜广，渡边昭吾，佐野雄一，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：