【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及在两面接合有金属薄板的绝缘电路基板的表面侧预定位置焊接接合一个以上的半导体芯片而作为半导体模块的半导体装置的制造方法以及用于将半导体芯片无偏斜地搭载于绝缘电路基板上的预定位置并使其良好地进行焊接接合的半导体芯片的定位夹具的改良。
技术介绍
在大电流、高电压环境下也能够运行的功率半导体模块应用于各种领域之中。通过图4的剖面模式图示出这种功率半导体 模块的一例。关于图中的符号,使用括号内的符号。功率半导体模块200中主要装配有绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate BipolarTransistor,以下称为IGBT)或续流二极管(Free Wheeling Diode,以下称为FWD)等多个功率半导体芯片101。这些多个功率半导体芯片101搭载于设置在绝缘电路基板100上的预定位置的、能够焊接接合的金属薄板(未图示)之上,且绝缘电路基板100进一步搭载于金属散热板106之上而被焊接接合。被焊接接合于绝缘电路基板100之上的半导体芯片101,为了导电连接其表面的金属电极(未图示)和外部端子108,通过铝线105等实施所需的配线连接处理,由此组 ...
【技术保护点】
一种半导体芯片的定位夹具,在将半导体芯片焊接于设置在绝缘电路基板的金属薄板上时使用,其特征在于,所述定位夹具具有用于嵌合所述半导体芯片的贯通孔,所述贯通孔的下端部具有切入部,该切入部为以面向所述半导体芯片的方式切入的空间。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:甲斐健志,小林孝敏,小田佳典,
申请(专利权)人:富士电机株式会社,
类型:发明
国别省市:
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