【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于材料技术制备
，涉及一种磁化学生成低膨胀系数铝基复合材料，具体是Al3Ti与TiB2 二元陶瓷颗粒增强高硅铝合金的制备方法，实现了热膨胀系数的明显降低。
技术介绍
高硅铝合金因其拥有低热膨胀系数，能与S1、GaAs等芯片相匹配，能对芯片起保护作用，导热性能好，及时散热，气密性好，耐高温、耐腐蚀、抗辐射，同时拥有高比强度、t匕刚度，良好的加工成型性能以及低密度，成本低廉等优点，一直是用于航空航天、电子封装等的重要材料。广泛应用于电子封装中承载电子元器件及其相互联线，起机械支持，密封环境保护，信号传递，散热和屏蔽等作用，是集成电路的密封体，对电路的性能和可靠性具有非常重要的影响。现今很多国家都在努力尝试以不同方法生产这种合金。由于其优异的综 合性能恰好与电子封装材料不断向小型化、高性能、高可靠性和低成本方向发展相契合，使得对此种合金的需求十分迫切。原位反应合成技术(Reactive Synthesis)是1989年由Koczak等首先提出，又称原位复合材料(In-situ Composites)用于制备颗粒增强金属基复合材料。这种技术生成增强体表...
【技术保护点】
一种磁化学生成低膨胀系数铝基复合材料，其特征在于通过下述方法制得：在高硅铝合金熔体中，置入按摩尔比例1:2预配制好的K2TiF6粉和KBF4粉，通过低频旋转磁场下的原位反应在高硅铝合金熔体中分别生成二元的增强颗粒Al3Ti和TiB2，其中Al3Ti和TiB2总质量分数为合金的20%?30%。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：焦雷，赵玉涛，李惠，于艳伶，吴岳，王晓路，
申请(专利权)人：江苏大学，
类型：发明
国别省市：
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