基于聚咔唑的共轭聚电解质光电材料及其在OLED器件中的应用制造技术

本发明专利技术公开了一种基于聚咔唑的共轭聚电解质光电材料，及其在OLED器件中的应用。通过在OLED器件中引入该聚咔唑的共轭聚电解质光电材料作为空穴注入层材料，大大提高了OLED器件的性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及有机半导体光电材料领域，尤其涉及一种基于聚咔唑的共轭聚电解质光电材料，及其在OLED器件的空穴注入层中的应用。
技术介绍
如附图说明图1所示，OLED器件主要由阴极1、发光层2、空穴注入层(HIL)3、阳极4、衬底 5顺次层叠构成，电源6连接阴极I与阳极4。所述发光层2为有机材料。制备OLED器件时，通常是在衬底5上先设置氧化铟锡(ITO)作为阳极4，然后在ITO阳极4上设置空穴注入层(HIL) 3，接着在空穴注入层3上设置发光层2，最后在发光层2上再蒸镀金属阴极1， 例如依次真空蒸镀一层CsF和一层金属Al共同作为阴极I。设置发光层2的方法通常利用旋涂法，具体做法是将有机发光材料溶解在甲苯等溶剂中制得有机发光材料溶液，然后将有机发光材料溶液旋转涂覆在空穴注入层3上，为了避免有机发光材料溶液中的甲苯等溶剂将空穴注入层3溶解或侵蚀，从而影响OLED器件的工作效果，所以只能选用不溶或难溶于甲苯等溶剂的有机材料作为空穴注入层3的材料。目前，可选择的空穴注入层有机材料很少，常用的空穴注入层材料主要有两种，一种是聚(3，4-乙撑二氧噻吩)和聚苯乙烯磺酸盐的混合物水溶液(PED0本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于聚咔唑的共轭聚电解质光电材料，其特征在于结构式为：?????????????????????????????????????????????????????????????其中，0

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：东莞市后博科技服务有限公司，
类型：发明
国别省市：