聚合物和包括其的有机发光器件制造技术

聚合物和包括所述聚合物的有机发光器件。

【技术实现步骤摘要】
聚合物和包括其的有机发光器件相关申请的交叉引用本申请要求2011年9月9日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2011-0092224的权益，其公开内容通过参考全部引入本文中。
本公开内容涉及聚合物和包括所述聚合物的有机发光器件。
技术介绍
有机发光器件是轻质的、可使用相对少数量的部件容易地制造且提供具有宽视角的高品质图像的自发射器件。而且，有机发光器件提供高的色纯度、精确地实现活动图像、具有低的功率消耗、且在低电压下运行。由于这些特性，有机发光器件适合于移动电子设备。典型的有机发光器件可具有其中阳极、第一层和阴极顺序地堆叠在基底上的结构，其中所述第一层可包括空穴传输层(HTL)、发射层(EML)和电子传输层(ETL)。当在阳极和阴极之间施加电流时，从阳极注入的空穴经由HTL移动到EML，和从阴极注入的电子经由ETL移动到EML。空穴和电子在EML中复合以产生激子。激子辐射地衰减以发射具有对应于材料的带隙的波长的光。根据形成第一层的方法，用于形成第一层的材料可分为能真空沉积的材料或能溶液涂覆的材料。能溶液涂覆的材料应当与溶剂可混溶以形成通过已知的溶液涂覆方法如喷墨印刷、丝网印刷或旋涂能涂覆在基底上的组合物。
技术实现思路
提供具有新颖结构的聚合物。提供包括所述聚合物的有机发光器件(OLED)。另外的方面将在以下描述中部分地阐明，且部分地将由该描述明晰，或可通过所提供的实施方式的实践获悉。根据本专利技术的一个方面，聚合物包括m个重复单元，其中所述m个重复单元中的第n个重复单元为由下式1表示的第一重复单元，其中所述第n个重复单元的A1环与第(n-1)个重复单元的第一芳族环之间的第一二面角和所述第n个重复单元的A2环与第(n+1)个重复单元的第二芳族环之间的第二二面角的至少一个等于或大于由方程1表示的χ50%的角度：式1方程1其中所述第一芳族环通过单键结合到所述A1环；所述第二芳族环通过单键结合到所述A2环；式1的R1-R7各自独立地为以下的一种：氢原子、氘原子、卤素原子、羟基、氰基、硝基、羧基、取代或未取代的C1-C60烷基、取代或未取代的C2-C60烯基、取代或未取代的C2-C60炔基、取代或未取代的C1-C60烷氧基、取代或未取代的C3-C60环烷基、取代或未取代的C3-C60环烯基、取代或未取代的C6-C60芳基、取代或未取代的C6-C60芳氧基、取代或未取代的C6-C60芳硫基、取代或未取代的C2-C60杂芳基、-N(Q1)(Q2)和-Si(Q3)(Q4)(Q5)，其中Q1-Q5各自独立地为氢原子、氘原子、卤素原子、羟基、氰基、硝基、羧基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C3-C60环烷基、C6-C60芳基、或C2-C60杂芳基；式1的X为单键、或包括碳或16族元素的连接体；m为2-1000的整数；n为2至m-1的变量；方程1的A为26.03，和B为0.0445；方程1的为式1的A1环和A2环之间的角度，如下式1-1中说明的；和方程1的θ为由式1的A1环和A3环之间的键在靠近A3环的氮的方向上延伸的第一假想线与由A2环和A3环之间的键在靠近A3环的氮的方向上延伸的第二假想线之间的角度，如下式1-2中所说明的：式1-1式1-2所述聚合物可用作有机发光器件的发射层中的磷光主体。根据本专利技术的另一方面，有机发光器件包括：基底；第一电极；第二电极；及设置在所述第一电极和第二电极之间的第一层，所述第一层包括所述聚合物。附图说明由结合附图考虑的实施方式的以下描述，这些和/或其它方面将变得明晰和更容易理解，其中：图1是根据本公开内容的实施方式的有机发光器件的示意性截面图；图2是聚合物A的光致发光(PL)光谱数据的图；图3是实施例1和2的有机发光器件的电致发光(EL)光谱数据的图；图4是实施例1的有机发光器件的电压对电流密度的图(4次测量)；图5是实施例1的有机发光器件的电压对电流效率的图(4次测量)；图6是实施例1的有机发光器件的电压对亮度的图(4次测量)；图7是实施例2的有机发光器件的电压对电流密度的图(2次测量)；图8是实施例2的有机发光器件的电压对电流效率的图(2次测量)；图9是实施例2的有机发光器件的电压对亮度的图(2次测量)；图10是实施例3的有机发光器件的电致发光(EL)光谱的图；图11是实施例3的有机发光器件的电压对电流密度和电压对亮度的图；和图12是实施例3的有机发光器件的电流密度对电流效率的图。具体实施方式现在将详细介绍实施方式，其实例说明于附图中，其中相同的附图标记始终是指相同的元件。在这点上，本实施方式可具有不同的形式并且不应解释为限于本文中所阐明的描述。因此，下面仅通过参考附图描述实施方式，以解释本描述的各方面。如本文中使用的术语“和/或”包括相关所列项目的一个或多个的任意和全部组合。表述例如“…的至少一种(个)”当在要素列表之前或之后时，修饰整个要素列表且不是修饰所述列表的单独要素。根据本公开内容的示例性实施方式，聚合物包括m个重复单元，其中所述m个重复单元中的第n个重复单元为由下式1表示的第一重复单元：式1m表示所述聚合物的重复单元的数量，其可为2-1000的整数，且在一些实施方式中，可为10-200的整数；n为2至m-1的变量；和X可为单键、或包括碳或16族元素的连接体。例如，式1的X可选自具有碳的连接体、单键、具有-O-的连接体、具有-S-的连接体、具有-Se-的连接体，但不限于此。所述第n个重复单元的A1环与第(n-1)个重复单元的第一芳族环之间的第一二面角和所述第n个重复单元的A2环与第(n+1)个重复单元的第二芳族环之间的第二二面角的至少一个可等于或大于由方程1表示的χ50％的角度：方程1在方程1中，A为26.03，和B为0.0445；在方程1中，为式1的A1环和A2环之间的角度，如下式1-1中说明的，和θ为由式1的A1环和A3环之间的键在靠近A3环的氮的方向上延伸的第一假想线与由A2环和A3环之间的键在靠近A3环的氮的方向上延伸的第二假想线之间的角度，如下式1-2中所说明的：式1-1式1-2式1-1和式1-2用于以假想线(第一和第二假想线)和平面(式1-1的其上有A1环的平面和其上有A2环的平面)描述方程1的和θ。在第(n-1)个重复单元中的第一芳族环经由单键结合到第n个重复单元的A1环，和在第(n+1)个重复单元中的第二芳族环经由单键结合到第n个重复单元的A2环。在式1中，和θ可取决于X。例如，X可为由式2表示的包括碳的连接体。式2式2的R11-R14各自独立地为氢原子、氘原子、卤素原子、羟基、氰基、硝基、羧基、取代或未取代的C1-C60烷基、取代或未取代的C2-C60烯基、取代或未取代的C2-C60炔基、取代或未取代的C1-C60烷氧基、取代或未取代的C3-C60环烷基、取代或未取代的C3-C60环烯基、取代或未取代的C6-C60芳基、取代或未取代的C6-C60芳氧基、取代或未取代的C6-C60芳硫基、或者取代或未取代的C2-C60杂芳基。在一些实施方式中，式2的R11-R14各自独立地为氢原子、氘原子、卤素原子、羟基、氰基、硝基、羧基、取代或未取代的C1-C20烷基、或者取代或未取代的C1-C20烷氧基，但不限于此。例如，式2的R本文档来自技高网...

【技术保护点】
聚合物，包括m个重复单元，其中所述m个重复单元中的第n个重复单元为由下式1表示的第一重复单元，其中所述第n个重复单元的A1环与第(n?1)个重复单元的第一芳族环之间的第一二面角和所述第n个重复单元的A2环与第(n+1)个重复单元的第二芳族环之间的第二二面角的至少一个等于或大于由方程1表示的χ50%的角度：式1方程1其中所述第一芳族环通过单键结合到所述A1环；所述第二芳族环通过单键结合到所述A2环；式1的R1?R7各自独立地为以下的一种：氢原子、氘原子、卤素原子、羟基、氰基、硝基、羧基、取代或未取代的C1?C60烷基、取代或未取代的C2?C60烯基、取代或未取代的C2?C60炔基、取代或未取代的C1?C60烷氧基、取代或未取代的C3?C60环烷基、取代或未取代的C3?C60环烯基、取代或未取代的C6?C60芳基、取代或未取代的C6?C60芳氧基、取代或未取代的C6?C60芳硫基、取代或未取代的C2?C60杂芳基、?N(Q1)(Q2)和?Si(Q3)(Q4)(Q5)，其中Q1?Q5各自独立地为氢原子、氘原子、卤素原子、羟基、氰基、硝基、羧基、C1?C60烷基、C2?C60烯基、C2?C60炔基、C3?C60环烷基、C6?C60芳基、或C2?C60杂芳基；式1的X为单键、或包括碳或16族元素的连接体；m为2?1000的整数；n为2至m?1的变量；式1的A为26.03，和B为0.0445；方程1的为式1的A1环和A2环之间的角度，如下式1?1中说明的；和方程1的θ为由式1的A1环和A3环之间的键在靠近A3环的氮的方向上延伸的第一假想线与由A2环和A3环之间的键在靠近A3环的氮的方向上延伸的第二假想线之间的角度，如下式1?2中所说明的：式1?1???????????????????式1?2FDA00002117889700011.jpg,FDA00002117889700012.jpg,FDA00002117889700021.jpg,FDA00002117889700022.jpg...

【技术特征摘要】
2011.09.09 KR 10-2011-00922241.聚合物，包括m个重复单元，其中所述m个重复单元中的第n个重复单元为由下式1表示的第一重复单元，其中所述第n个重复单元的A1环与第(n-1)个重复单元的第一芳族环之间的第一二面角和所述第n个重复单元的A2环与第(n+1)个重复单元的第二芳族环之间的第二二面角的至少一个等于或大于由方程1表示的χ50％的角度：式1方程1其中所述第一芳族环通过单键结合到所述A1环；所述第二芳族环通过单键结合到所述A2环；式1的R1-R7各自独立地为以下的一种：氢原子、氘原子、卤素原子、羟基、氰基、硝基、羧基、取代或未取代的C1-C60烷基、取代或未取代的C2-C60烯基、取代或未取代的C2-C60炔基、取代或未取代的C1-C60烷氧基、取代或未取代的C3-C60环烷基、取代或未取代的C3-C60环烯基、取代或未取代的C6-C60芳基、取代或未取代的C6-C60芳氧基、取代或未取代的C6-C60芳硫基、取代或未取代的C2-C60杂芳基、-N(Q1)(Q2)和-Si(Q3)(Q4)(Q5)，其中Q1-Q5各自独立地为氢原子、氘原子、卤素原子、羟基、氰基、硝基、羧基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C3-C60环烷基、C6-C60芳基、或C2-C60杂芳基；式1的X为单键、或包括碳或16族元素的连接体；m为2-1000的整数；n为2至m-1的变量；式1的A为26.03，和B为0.0445；方程1的为式1的A1环和A2环之间的角度，如下式1-1中说明的；和方程1的θ为由式1的A1环和A3环之间的键在靠近A3环的氮的方向上延伸的第一假想线与由A2环和A3环之间的键在靠近A3环的氮的方向上延伸的第二假想线之间的角度，如下式1-2中所说明的：其中所述第一二面角、所述第二二面角、方程1的和方程1的θ是通过应用密度泛函理论以B3LYP/6-31+G(D)基组进行计算的，和其中所述聚合物进一步包括由式5A、5B、5D或5E表示的第二重复单元：其中，在式5A、5B、5D和5E中，R21和R22各自独立地为取代或未取代的C1-C60烷基；和Y1和Y2各自独立地为氢原子、取代或未取代的C1-C60烷基、或者取代或未取代的C1-C60烷氧基。2.权利要求1的聚合物，其中X为由下式2表示的连接体；32.52≤θ≤34.52；和38.00≤χ50％≤40.00：式2式2的R11-R14各自独立地为氢原子、氘原子、卤素原子、羟基、氰基、硝基、羧基、取代或未取代的C1-C60烷基、取代或未取代的C2-C60烯基、取代或未取代的C2-C60炔基、取代或未取代的C1-C60烷氧基、取代或未取代的C3-C60环烷基、取代或未取代的C3-C60环烯基、取代或未取代的C6-C60芳基、取代或未取代的C6-C60芳氧基、取代或未取代的C6-C60芳硫基、或者取代或未取代的C2-C60杂芳基。3.权利要求2的聚合物，其中式2的R11-R14各自独立地为氢原子；氘原子；F；Cl；羟基；氰基；硝基；羧基；甲基；乙基；丙基；异丙基；丁基；异丁基；叔丁基；戊基；己基；庚基；辛基；2-乙基己基；壬基；癸基；3,7-二甲基辛基；各自被氘原子、F、Cl、羟基、氰基、硝基和羧基的至少一种取代的甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、叔丁基、戊基、己基、庚基、辛基、2-乙基己基、壬基、癸基和3,7-二甲基辛基；甲氧基；乙氧基；丙氧基；异丙氧基；丁氧基；异丁氧基；叔丁氧基；戊氧基；己氧基；庚氧基；辛氧基；2-乙基己基氧基；壬氧基；癸氧基；3,7-二甲基辛基氧基；和各自被氘原子、F、Cl、羟基、氰基、硝基和羧基的至少一种取代的甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧基、丁氧基、异丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、己氧基、庚氧基、辛氧基、2-乙基己基氧基、壬氧基、癸氧基和3,7-二甲基辛基氧基。4.权利要求1的聚合物，其中X为单键；-34.45°≤θ≤-32.45°；和27.00°≤χ50％≤29.00°。5.权利要求1的聚合物，其中X为由-O-表示的连接体；-2.81°≤θ≤-0.81°；和32.00°≤χ50％≤34.00°。6.权利要求1的聚合物，其中X为由-S-表示的连接体；10.01°≤θ≤12.01°；和34.00°≤χ50％≤36.00°。7.权利要求1的聚合物，其中X为由-Se-表示的连接体；14.46°≤θ≤16....

【专利技术属性】
技术研发人员：崔玹豪，孙准模，姜昊锡，杨惠渊，郑庸植，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：