本发明公开了一种含两性侧链的共轭聚电解质光电材料及其在OLED器件中的应用。本发明将含两性侧链的共轭聚电解质光电材料PCFN-SO作为空穴注入层(HIL)材料制备了OLED器件，该OLED器件的性能相比对照器件的性能有了较大幅度的提高。

本发明公开了一种含氧化胺基团的有机半导体材料，及其在OLED器件中的应用。本发明所述含氧化胺基团的有机半导体材料的聚合物主链是共轭的，聚合物主链由具有良好空穴注入/传输性能的咔唑基团组成，具有较高的电导率，有利于OLED器件中空穴的注入...

本发明公开了一种含氧化胺基团的共轭聚合物光电材料及其在OLED器件中的应用。本发明将该含氧化胺基团的共轭聚合物光电材料作为空穴注入层(HIL)材料制备了OLED器件，该OLED器件的性能相比对照器件的性能有了较大幅度的提高。

本发明公开了一种含氧化胺基团的共轭聚合物光电材料，及其在有机发光二极管器件中的应用。本发明所述含氧化胺基团的共轭聚合物光电材料是不含反离子的聚电解质材料，可避免常见聚电解质中可自由移动的反离子对有机发光二极管器件的不利影响。

本发明公开了一种有机半导体材料，及其在OLED器件中的应用。本发明所述有机半导体材料是不含反离子的聚电解质材料，可避免常见聚电解质中可自由移动的反离子对OLED器件的不利影响。

本发明公开了一种含季铵盐基团的有机半导体材料，及其在OLED器件中的应用。本发明所述含季铵盐基团的有机半导体材料的侧链带有季铵盐极性基团，使得这种材料能够溶于极性溶剂如甲醇、乙醇中，且又难溶于甲苯等溶剂。所述含季铵盐基团的有机半导体材料...

本发明公开了一种基于聚咔唑的共轭聚电解质光电材料，及其在OLED器件中的应用。通过在OLED器件中引入该聚咔唑的共轭聚电解质光电材料作为空穴注入层材料，大大提高了OLED器件的性能。

本发明公开了一种含季铵盐基团的共轭聚电解质光电材料，及其在OLED器件中的应用。通过在OLED器件中引入该含季铵盐基团的共轭聚电解质光电材料作为空穴注入层材料，大大提高了OLED器件的性能。

本发明公开了一种含两性侧链的共轭聚电解质光电材料，及其在有机发光二极管器件中的应用。本发明所述含两性侧链的共轭聚电解质光电材料为有机发光二极管器件中空穴注入层材料的选用提供了更多的选择，可作为一类具有应用前景的空穴注入层材料用于有机发光...

本发明公开了一种共轭聚电解质光电材料，及其在聚合物发光二极管器件中的应用。本发明所述共轭聚电解质光电材料的侧链带有季铵盐极性基团，使得这种材料能够溶于极性溶剂如甲醇、乙醇中，且又难溶于甲苯等溶剂。所述共轭聚电解质光电材料能够作为空穴注入...

本发明公开了一种含两性侧链的有机半导体材料，及其在OLED器件中的应用。本发明所述含两性侧链的有机半导体材料为OLED器件中空穴注入层材料的选用提供了更多的选择，可作为一类具有应用前景的空穴注入层材料用于OLED器件中。

本发明公开了一种基于聚咔唑的共轭聚电解质光电材料，及其在OLED器件中的应用。本发明所述基于聚咔唑的共轭聚电解质光电材料的聚合物主链是共轭的，聚合物主链由具有良好空穴注入/传输性能的咔唑基团组成，具有较高的电导率，有利于OLED器件中空...