【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种中频磁控溅射镀膜装置。
技术介绍
物理气相沉积(Physical Vapor Deposition, PVD)镀膜过程中，需向镀膜装置的镀膜室内通入溅射气体(如氩气)，有时还需向镀膜室内通入反应气体(如氮气，甲烷等)，以使反应气体与被溅射出来的靶材原子反应生成化合物沉积于基材上。为了获得特定颜色·(如极度黑色，极度白色)等，通入镀膜室的反应气体的量往往很大，超出正常反应所需要的量。此时由于反应气体的量较大，会在靶材表面反应生成化合物，影响靶材的正常溅射，造成靶材溅射率大幅下降，这就是靶材的“中毒”。针对靶材“中毒”现象，通常做法是在下一次镀膜之前，对靶材进行“洗靶”，也就是在真空状态下，通入氩气将靶材表面的化合物溅射掉。对于中频磁控溅射镀膜装置，靶材必须为对靶设置，当靶材电源开启后两个靶材互为阴阳极。请参阅图1，现有的中频磁控溅射镀膜装置200包括一镀膜室201，该镀膜室内设置有相对设置的二靶材203，所述靶材203为圆柱靶。二靶材203靠近镀膜室201腔壁的一侧分别设置有一第一挡板205，二靶材203远离镀膜室201腔壁的一侧分别设置有一第二挡板207，第一挡板205为固定的，第二挡板207为可移动的。关闭二第二挡板207，所述每一靶材203就被封闭于第一挡板205和第二挡板207围成的空间内。洗靶时，需先关闭镀膜室201并对镀膜室201进行抽真空，此时镀膜室201内未放置有基材(未图示)；达到一定的真空度后，向镀膜室201通入氩气并开启二靶材203的电源，此时二靶材203的第二挡板207必须打开以使二靶材203的电源能导通互为阴阳极...
【技术保护点】
一种中频磁控溅射镀膜装置，其包括一反应室、位于反应室中央的一转架及设置于反应室腔壁与转架之间的至少一对靶材，其特征在于：每对靶材于反应室内均相应配置有一内衬板及至少一外挡板，该内衬板邻近反应室的部分腔壁设置，该至少一外挡板为可移动的，当该至少一外挡板移动至靶材与转架之间时，所述一对靶材容置于该至少一外挡板和该内衬板所形成的空间内，以防止靶材原子于洗靶时溅射至转架上。
【技术特征摘要】
1.一种中频磁控溅射镀膜装置，其包括一反应室、位于反应室中央的一转架及设置于反应室腔壁与转架之间的至少一对靶材，其特征在于每对靶材于反应室内均相应配置有一内衬板及至少一外挡板，该内衬板邻近反应室的部分腔壁设置，该至少一外挡板为可移动的，当该至少一外挡板移动至靶材与转架之间时，所述一对靶材容置于该至少一外挡板和该内衬板所形成的空间内，以防止靶材原子于洗靶时溅射至转架上。2.如权利要求I所述的中频磁控溅射镀膜装置，其特征在于所述靶材为圆柱靶。3.如权利要求2所述的中频磁控溅射镀膜装置，其特征在于所述至少一外挡板包括有二外挡板，每一外挡板邻近每对靶材中的一靶材的周缘设置且可绕靶材的周缘方向移动，且每一外挡板包括一主体部及与主体部的一端一体延伸的一连接部。4.如权利要求3所述的中频磁控溅射镀膜装置，其特征在于该主体部为拱形，主体部的截面为半圆弧，且主体部的截面与靶材的截面同圆心，并且主体部截面的弧长大于所述靶材截面的半圆弧长。5.如权利要求3所述的中频磁控溅射镀膜装置，其特征在于该连接部为平板状，当该二外挡板移动至靶材与转架之间时，二外挡板的二连接部接合于一起。6.如权利要求5所述的中频磁控溅射镀膜装置，其特征在于所述内衬板的沿着腔壁周向方向的二端部连线的长度不小于二外挡板对应接合时该二外挡板的二端部...
【专利技术属性】
技术研发人员：张新倍，黄登聪，彭立全，
申请(专利权)人：鸿富锦精密工业深圳有限公司，鸿海精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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