含有线性共轭单元的阴极缓冲层分子型材料及其制备方法与应用技术

本发明专利技术公开了含有线性共轭单元的阴极缓冲层分子型材料及其制备方法与应用。该缓冲层材料具有电子注入功能，能够协助电子从铝金属电极的注入。由于引入刚性的稠环芳基，所制备的分子离子材料兼具醇溶性和非晶态特性。使用该材料作为阴极缓冲层，铝金属作为阴极，所制备的电致发光器件性能与以Ba/Al为电极的器件性能相当，从而避免使用在空气中不稳定的低功函数金属电极。该类阴极缓冲层材料的电子注入性能与材料的分子结构密切相关。该阴极缓冲层材料经热处理后，器件的电致发光性能明显提高。相比于目前报道的含有线性共轭结构单元的单铵基离子分子阴极缓冲层材料，本发明专利技术公开的材料在合成制备、成本、加工性能方面具有明显优势。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及醇溶性阴极缓冲层材料，具体涉及具有线性的共轭结构单元且含有单胺基离子的新型阴极缓冲层材料及其制备方法，本专利技术还涉及该分子材料在有机发光二极管、有机场效应晶体管中的应用。
技术介绍
高效的电子注入对于实现高性能有机发光二极管、有机场效应晶体管和有机发光场效应晶体管等光电器件至关重要。相对于低功函数金属钙、钡、镁等，使用环境稳定性高的金属作为阴极材料，如铝、金，有利于有机光电器件制备和应用。然而后者具有较高的功函数，因此设计合成与它们匹配的阴极缓冲材料，提高电子注入性能，显得尤为迫切。在早期的研究中，主要使用LiF、CsF等阴极界面材料，实现电子从铝金属阴极的电子注入,但这些材料依赖真空蒸镀技术成膜。而溶液加工为实现低成本、大面积、柔性有机光电器件提供了可能。因而，制备可溶液加工的阴极缓冲材料具有重要意义。相比于目前报道的含有线性共轭结构单元的单铵基离子分子阴极缓冲层材料 (Liu et al. , Chem. Asian J. ,DOI :10. 1002/asia. 201200299)，本专利技术公开的材料在合成制备、成本、加工性能方面具有明显优势。
技术实现思路
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【技术保护点】
含有线性共轭单元的阴极缓冲层分子型材料，其特征在于该材料具有如下化学结构式中的一种：其中，R1、R2、R3、R4、R5从氢原子、芳基、稠环芳基，或从碳数为1–18的烷基链或烷氧基链中选择；R6、R7、R8为碳数为1–18的烷基链；m=0–1；n=0–17，X?是阴离子。FDA00002401995000011.jpg

【技术特征摘要】
1.含有线性共轭单元的阴极缓冲层分子型材料，其特征在于该材料具有如下化学结构式中的一种2.根据权利要求I所述的含有线性共轭单元的阴极缓冲层分子型材料，其特征在于，所述H R3、R4、R5为如下结构单元的任一种3.根据权利要求I所述的含有线性共轭单元的阴极缓冲层分子型材料，其特征在于该阴极缓冲层分子型材料可溶于极性有机溶剂，具备醇溶性。4.权利要求1-3任一项所述的含有线性共轭单元的阴极缓冲层分子型材料的制备方法，其特征在于包括如下步骤 1)以酚羟基被保护起来后的4-溴苯酚作为反应原料，通过钯催化偶联反应引入9位被基团取代的芴基以及刚性基团R1，其中，9位被基团取代的芴基可通过甲烷磺酸对芴酮进行催化引入民、&、1 4、1 5，或通过氢氧化钾对芴进行催化引入碳数为I ...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱旭辉，谭婉怡，刘艳，刘刚，彭俊彪，曹镛，
申请(专利权)人：华南理工大学，
类型：发明
国别省市：