本发明专利技术涉及一种LED发光元器件，包括LED芯片、玻璃基板，玻璃基板上面固定LED芯片及金属导电线路，玻璃基板与LED芯片连接面上涂有氮化铝涂层，并通过荧光粉胶包覆LED芯片。若干个LED芯片串联并固晶在氮化铝涂层的薄膜电路上。LED芯片芯片表面涂敷荧光粉，形成白光器件。氮化铝涂层薄膜通过磁控溅射的成膜方式生长在玻璃基板上。LED芯片外层包覆的荧光粉胶的保护层可依芯片的发光光型形成所需的形状。LED发光元器件在LED芯片和玻璃基板上，覆有一层氮化铝涂层薄膜作为导热绝缘层，增加了散热面积，实现最佳散热。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种LED发光兀器件,尤其是一种在LED芯片和玻璃基板上,设有一层导热绝缘层的LED发光元器件。
技术介绍
LED是发光二极管(LED, Lighting emitted diode),是利用在电场作用下,PN结发光的固态发光器件。具有高寿命/环保/节能的特点，是绿色环保的新光源。LED技术日趋发展成熟，目前LED白光是通过蓝色芯片激发黄绿荧光粉，进行波长 调和而产生出的白光，目前LED的发光效率已经超过大部分传统光源。一般而言，LED是通过MOCVD (Metal-organic Chemical Vapor Deposition,金属有机化合物化学气相沉淀)在外延片上长出PN层及发光层，然后通过点测、扩散、分BIN等工艺做成不同尺寸的芯片，一般而言有10*10 mil, 10*23 mil, 24*24 mil, 40*40 mil等尺寸，可以承受从IOmA IA的恒流电流驱动。传统的封装是将这些芯片固定在一个封装支架上，通过金线焊接芯片的阴极和阳极，通入电流来驱动LED发出蓝色单波长光，从而激发荧光粉形成白光。支架一般采用工程塑料或者是带金属热沉的塑料，然后通过底部反射来增加其光萃取率，或者是通过硅胶成型或带二次光学透镜来改变内部材料的折射率，从而增加其出光。传统的封装方式，对于LED芯片的光利用率相当低，特别是未能充分利用LED芯片全周光，因此可以通过将LED封装在玻璃基板上，来增加其出光范围。但是由于玻璃是热的不良导体，不能有效的快速将LED芯片的热量快速的散发，因此需要一层缓冲层来实现LED的芯片散热。
技术实现思路
本专利技术是要解决LED芯片与基板之间的散热技术问题，而提供一种LED发光元器件，该LED发光元器件在LED芯片和玻璃基板上，设计一层导热绝缘层，并增加其最大的散热面积，实现最佳散热。为实现上述目的，本专利技术的技术方案是一种LED发光元器件，包括LED芯片、玻璃基板，玻璃基板上面固定LED芯片及金属导电线路，其特点是玻璃基板与LED芯片连接面上涂有氮化铝涂层，并通过荧光粉胶包覆LED芯片。若干个LED芯片串联并固晶在氮化铝涂层薄膜的电路上。LED芯片芯片表面涂敷荧光粉，形成白光器件。氮化铝涂层薄膜通过磁控溅射的成膜方式生长在玻璃基板上。LED芯片外层包覆的荧光粉胶的保护层可依芯片的发光光型形成所需的形状。本专利技术的有益效果是 LED发光元器件在LED芯片和玻璃基板上，覆有一层氮化铝(AlN)薄膜作为导热绝缘层，增加了散热面积，实现最佳散热。氮化铝薄膜是高导热性绝缘陶瓷材料，因此可以在其表面直接布置金属导线，把LED芯片固晶在AlN薄膜的电路上，可以实现把LED串联起来，并且可以有效快速地把LED芯片热量散掉。同时在芯片表面涂敷荧光粉，或者采用远程荧光粉的方式，通过包覆一层荧光粉层，使得LED芯片发出的蓝光激发突光粉,形成白光器件。附图说明图I是本专利技术的结构示意图。具体实施例方式如图I所示，本专利技术的LED发光元器件，包括LED芯片I、金属导电线路2、氮化铝(AlN)涂层3、玻璃基板4，玻璃基板4上面固定LED芯片I及金属导电线路2，玻璃基板4与LED芯片I连接面上涂有氮化铝(AlN)涂层3，并通过荧光粉胶5包覆LED芯片。若干个LED芯片I串联并固晶在氮化铝(AlN)涂层3薄膜的电路上。LED芯片I芯片表面涂敷荧光粉，形成白光器件。氮化铝(AlN)涂层3薄膜通过磁控溅射的成膜方式生长在玻璃基板4上。LED芯片I外层包覆的荧光粉胶5的保护层可依芯片的发光光型形成所需的形状。本专利技术通过以单颗LED芯片I为单元，置于高透光性玻璃基板4上，高透光玻璃基板4上覆有氮化铝(AlN)涂层3的薄膜，氮化铝(AlN)涂层3的薄膜具有导热性和绝缘性，可以通过磁控溅射的成膜方式生长在玻璃基板4上。氮化铝(AlN)涂层3薄膜是高导热性绝缘陶瓷材料，因此可以在其表面直接布置金属导线，把LED芯片I固晶在AlN氮化铝涂层3薄膜的电路上，可以实现把LED串联起来，并且可以有效快速地把LED芯片热量散掉。同时在芯片表面涂敷荧光粉，或者采用远程 荧光粉的方式，通过包覆一层荧光粉层，使得LED芯片发出的蓝光激发荧光粉，形成白光器件。LED芯片I外层包覆的荧光粉胶5保护层可依芯片的发光光型，设计出各种应用所需的形状，在透明基板首先通过磁控溅射设备涂敷一层氮化铝(AlN)涂层3的导热层，然后在氮化铝(AlN)涂层3上布置电路，并直接固晶LED芯片I，并通过荧光粉涂敷工艺形成光源发光器件。本专利技术的LED发光元器件的制作方法包括以下步骤 (1)在高透光玻璃基板4上通过蒸镀或者离子溅射镀上氮化铝(AlN)涂层3薄膜； (2)通过掩膜的方式蒸镀金属材料，形成玻璃基板4的线路导电层； (3)按照预先设计的位置将LED芯片I固晶贴到玻璃基板4上； (4)将荧光粉硅胶通过荧光粉注塑模固定包覆在LED芯片I上面。权利要求1.一种LED发光元器件，包括LED芯片(I)、玻璃基板(4)，玻璃基板(4)上面固定LED芯片(I)及金属导电线路(2)，其特征在于所述玻璃基板(4)与LED芯片(I)连接面上涂有氮化铝涂层(3 )，并通过荧光粉胶(5 )包覆LED芯片(I)。2.根据权利要求I所述的LED发光元器件，其特征在于若干个所述LED芯片(I)串联并固晶在氮化铝涂层(3 )薄膜的电路上。3.根据权利要求I所述的LED发光元器件，其特征在于所述LED芯片(I)表面涂敷荧光粉，形成白光器件。4.根据权利要求I所述的LED发光元器件，其特征在于所述氮化铝涂层(3)薄膜通过磁控溅射的成膜方式生长在玻璃基板(4)上。5.根据权利要求I所述的LED发光元器件，其特征在于所述LED芯片(I)外层包覆的荧光粉胶(5)的保护层可依芯片的发光光型形成所需的形状。全文摘要本专利技术涉及一种LED发光元器件，包括LED芯片、玻璃基板，玻璃基板上面固定LED芯片及金属导电线路，玻璃基板与LED芯片连接面上涂有氮化铝涂层，并通过荧光粉胶包覆LED芯片。若干个LED芯片串联并固晶在氮化铝涂层的薄膜电路上。LED芯片芯片表面涂敷荧光粉，形成白光器件。氮化铝涂层薄膜通过磁控溅射的成膜方式生长在玻璃基板上。LED芯片外层包覆的荧光粉胶的保护层可依芯片的发光光型形成所需的形状。LED发光元器件在LED芯片和玻璃基板上，覆有一层氮化铝涂层薄膜作为导热绝缘层，增加了散热面积，实现最佳散热。文档编号H01L33/50GK102969437SQ20121051677公开日2013年3月13日 申请日期2012年12月6日 优先权日2012年12月6日专利技术者瞿崧, 文国军, 严华锋 申请人:上海顿格电子贸易有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种LED发光元器件，包括LED芯片（1）、玻璃基板（4），玻璃基板（4）上面固定LED芯片（1）及金属导电线路（2），其特征在于：所述玻璃基板（4）与LED芯片（1）连接面上涂有氮化铝涂层（3），并通过荧光粉胶（5）包覆LED芯片（1）。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：瞿崧，文国军，严华锋，
申请(专利权)人：上海顿格电子贸易有限公司，
类型：发明
国别省市：
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