微波功率器件的过温保护结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种微波功率器件的过温保护结构，包括一个整流桥、一绝缘栅晶体管和IGBT驱动电路，其中该整流桥对该绝缘栅晶体管和所在的振荡电路进行供电，并且该绝缘栅晶体管的发射极与该整流桥的负极连接；其特征在于：在该整流桥的负极的位置固定并电气连接一热敏电阻RH的一端，该热敏电阻RH的另一端连接于一温度检测电路；并且，该温度检测电路具有连接并可关断该IGBT驱动电路的反馈端。利用绝缘栅晶体管与整流桥的电流在大电流下同步升温的性质，将温度检测点设置于整流桥的负极，从而间接地反映了绝缘栅晶体管的过流情况。整流桥不会具有较长的引脚，所以热敏电阻可以较准确地反映电流回路中PN结的温升，提供妥善的保护。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及ー种运用于家用微波炉功率器件的过温保护电路其结构。
技术介绍
作为家用的加热炊具，微波炉已经得到很普遍的使用，其功能也逐渐完善，不仅具有加热功能，也在安全性、可靠性上得到发展，使其功能越来越人性化。这类电路有ー个主要的自动措施就是实现保护的功能，即出现异常情况时可以及时切断功率器件工作，以至于关闭所有加热功能，避免故障恶化，造成额外的器件或者人身伤害。特别地，这宗较大功率的装置，一个首要的功能就是实现过热保护，因为过热通常意味着短路、大电流的情况，也最容易发生危险。过热保护需要对功率器件进行温度监视，实 现当功率器件的温升超过安全临界值时，可以及时被切断供电。在微波炉装置中，ー个主要的功率器件就是驱动磁控管工作的绝缘栅晶体管。通常的温度检测方式是在改绝缘栅晶体管在印刷电路板上其发射极位置焊接ー个测温元件，当其PN结温度过高时，热量可以通过弓丨脚导入印刷电路板，而被测温元件及时感应。这类方法具有结构简単，比较可靠的优点。但绝缘栅晶体管往往引脚较长，同时绝缘栅晶体管在工作时整体受到强制风冷的散热处理，所以，其引脚末端与印刷电路板连接的部分作为其PN结的测温点就会出现偏差，并且，这个偏差还会受到主动散热强制风冷的影响难以稳定。
技术实现思路
针对上述用于绝缘栅晶体管的温度检测方案受强制风冷影响的问题，本技术提出一种微波功率器件的过温保护结构，其技术方案如下微波功率器件的过温保护结构，包括ー个整流桥、一绝缘栅晶体管和IGBT驱动电路，其中该整流桥对该绝缘栅晶体管和所在的振荡电路进行供电，并且该绝缘栅晶体管的发射极与该整流桥的负极连接；在该整流桥的负极引脚的位置固定并电气连接ー热敏电阻RH的一端，该热敏电阻RH的另一端连接于一温度检测电路；并且，该温度检测电路具有连接并可关断该IGBT驱动电路的反馈端。作为本技术方案的优选者，可以在如下方面具有改进较佳实施例中，该温度检测电路包括分压电阻R1，与该热敏电阻RH串联后构成分压网络，连接于电源与地之间；比较器0P1，其输出端正向连接ニ极管D1，ニ极管Dl通过基极电阻R4连接于开关管Ql的基极,并同时通过ー电阻R5接地；该开关管Ql的发射极接地,集电极接该反馈端；其中，该比较器OPl的一输入端连接ー R2和R3构成的分压网络分压点，另ー输入端连接由Rl和RH构成的分压网络其分压点；该热敏电阻RH两端还具有ー滤波电容Cl。较佳实施例中，该热敏电阻RH为ー PTC或NTC热敏电阻。较佳实施例中，该反馈端连接于驱动电路10中，该IGBT的栅极控制信号端。较佳实施例中，该桥堆和该绝缘栅晶体管具有可用于主动风冷散热的散热器。本技术带来的有益效果是I.利用绝缘栅晶体管与整流桥的电流在大电流下同步升温的性质，将温度检测点设置于整流桥的负扱，从而间接地反映了绝缘栅晶体管的过流情況。2.整流桥不会具有较长的引脚，所以热敏电阻可以较准确地反映电流回路中PN结的温升，提供妥善的保护。附图说明以下结合附图实施例对本技术作进ー步说明图I是本技术ー实施例总体结构示意图；图2是图I所示实施例其温度感应电路30部分的示意图。具体实施方式如图I和图2所示，本技术一实施例的示意图。该微波功率器件的过温保护结构，包括ー个整流桥20、一绝缘栅晶体管Tl和IGBT驱动电路10，其中该整流桥20输出直流电，通过滤波电感L对该绝缘栅晶体管TI和所在的振荡电路C、LI进行供电，并且该绝缘栅晶体管Tl的发射极与该整流桥20的负极连接；在该整流桥20的负极的位置固定并电气连接ー热敏电阻RH的一端，该热敏电阻RH的另一端连接于一温度检测电路30 ;并且，该温度检测电路30具有连接并可关断该IGBT驱动电路的反馈端31。本技术方案对整流桥20的负极进行温度检测。其原理考虑到整流桥20与绝缘栅晶体管Tl采用串联设置，故其电流大小相当，从而当绝缘栅晶体管Tl出现大电流异常吋，整流桥20的电流也必然増大，并且使整流桥20迅速升温。利用此性质，就可以将温度检测点设置于整流桥20的负极，从而间接地反映了绝缘栅晶体管Tl的过流情況。另ー方面，因为绝缘栅晶体管Tl去引脚本身较长，所以，受到强制风冷的影响较大，若将热敏电阻RH置于绝缘栅晶体管Tl发射极的位置，则其与绝缘栅晶体管Tl内部PN结本身具有较大的温差。而整流桥20本身通常不会具有较长的引脚，所以，通过在这类整流桥20的负极设置热敏电阻，可以较准确地反映电流回路中PN结的温升，以至于通过温度检测电路30的反馈端31向驱动电路10提供反馈信号，及时关断绝缘栅晶体管Tl，提供妥善的保护。本实施例中，该温度检测电路30包括分压电阻R1，与该热敏电阻RH串联后构成分压网络，连接于电源与地中；比较器OPl，其输出端正向连接ニ极管Dl，ニ极管Dl通过基极电阻R4连接于开关管Ql的基极就，并同时通过ー电阻R5接地；该开关管Ql的发射极接地，集电极接该反馈端；该比较器OPl的一输入端连接ー R2和R3构成的分压网络分压点，另ー输入端连接由Rl和RH构成的分压网络其分压点；该热敏电阻RH两端还具有ー滤波电容Cl。并且该热敏电阻RH为ー热敏电阻。反馈端31连接于驱动电路10中，该IGBT的栅极控制信号端。可见，该电路简単，灵敏度高，并且采用比较器处理热敏电阻RH的温度采样結果，直接通过开关管Ql在保护功能启动时拉低绝缘栅晶体管Tl的栅极控制电位，达到迅速保护的目的。以上所述，仅为本技术较佳实施例而已，故不能依此限定本技术实施的范围，即依本技术专利范围及说明书内容所作的等效变化与修饰，皆应仍属本技术涵盖的范围内。·权利要求1.微波功率器件的过温保护结构，包括一个整流桥、一绝缘栅晶体管和IGBT驱动电路，其中该整流桥对该绝缘栅晶体管和所在的振荡电路进行供电，并且该绝缘栅晶体管的发射极与该整流桥的负极连接；其特征在于在该整流桥的负极引脚的位置固定并电气连接一热敏电阻RH的一端，该热敏电阻RH的另一端连接于一温度检测电路；并且，该温度检测电路具有连接并可关断该IGBT驱动电路的反馈端。2.根据权利要求I所述微波功率器件的过温保护结构，其特征在于该温度检测电路包括 分压电阻R1，与该热敏电阻RH串联后构成分压网络，连接于电源与地之间； 比较器OPl，其输出端正向连接二极管Dl，二极管Dl通过基极电阻R4连接于开关管Ql的基极，并同时通过一电阻R5接地；该开关管Ql的发射极接地,集电极接该反馈端； 其中，该比较器OPl的一输入端连接一 R2和R3构成的分压网络分压点，另一输入端连接由Rl和RH构成的分压网络其分压点；该热敏电阻RH两端还具有一滤波电容Cl。3.根据权利要求2所述微波功率器件的过温保护结构，其特征在于该热敏电阻RH为一 NTC或PTC热敏电阻。4.根据权利要求I或2或3所述微波功率器件的过温保护结构，其特征在于该反馈端连接于驱动电路10中，该IGBT的栅极控制信号端。5.根据权利要求4所述微波功率器件的过温保护结构，其特征在于该桥堆和该绝缘栅晶体管具有可用于主动风冷散热的散热器。专利摘要本技术公开了一种微波功率器件的过温保护结构，包括一个整流桥、一绝缘栅晶体管和IGBT驱动电路，其中该整流桥对该绝缘栅晶体管和所在的振荡电路进本文档来自技高网...

【技术保护点】
微波功率器件的过温保护结构，包括一个整流桥、一绝缘栅晶体管和IGBT驱动电路，其中该整流桥对该绝缘栅晶体管和所在的振荡电路进行供电，并且该绝缘栅晶体管的发射极与该整流桥的负极连接；其特征在于：在该整流桥的负极引脚的位置固定并电气连接一热敏电阻RH的一端，该热敏电阻RH的另一端连接于一温度检测电路；并且，该温度检测电路具有连接并可关断该IGBT驱动电路的反馈端。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李云孝，杨连军，
申请(专利权)人：厦门翰普电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：