Cu－Ga合金以及Cu－Ga合金溅射靶制造技术

本发明专利技术涉及Cu－Ga合金以及Cu－Ga合金溅射靶，所述Cu－Ga合金含有质量百分比25～30%的Ga，且余量为Cu，所述Cu－Ga合金的特征在于，通过电子显微镜得到的组织图像上所呈现出的、Ga浓度为质量百分比30～35%的相即γ相的平均等效圆直径为50μm以下，且最大等效圆直径为200μm以下。由于本发明专利技术的Cu－Ga合金通过使组织具有特定的相结构，从而即使在通过铸造法进行制作的情况下也难以产生裂纹或缺口等，因此，能够在以质量百分比25～30%的较高浓度含有Ga的同时实施压延加工。因此，能够通过压延来制造Ga的含有量较多的溅射靶，且能够实现溅射靶的生产率的提高。此外，在通过铸造法来制作本发明专利技术的Cu－Ga合金的情况下，与通过热压等的粉末烧结法而制造的Cu－Ga合金溅射靶相比，溅射速率较快。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种Cu - Ga合金以及Cu — Ga合金溅射靶，更详细而言，涉及即使Ga的含有量较多也能够进行压延加工的Cu - Ga合金、以及由所述合金得到的Cu - Ga合金溅射靶。
技术介绍
近年来，由化合物半导体得到的薄膜太阳能电池已被实用化。在该薄膜太阳能电池中，一般情况下，在钠钙玻璃基板之上形成有成为正电极的Mo电极层，在该Mo电极层之上形成有含有Cu — In — Ga — Se合金膜的光吸收层，在该光吸收层之上形成有含有ZnS、CdS等的缓冲层，且在该缓冲层之上形成有成为负电极的透明电极层。作为含有Cu — In — Ga — Se合金膜的光吸收层的形成方法，已经提出了通过溅射法而形成Cu — In — Ga — Se合金膜的方法，以代替成膜速度较慢且耗费成本的蒸镀法。 作为通过溅射法而使该Cu — In — Ga— Se合金膜成膜的方法，已经提出了如下的方法，即，使用Cu — Ga祀并通过派射而使Cu — Ga合金膜成膜,并通过在该Cu — Ga合金膜之上使用In靶进行溅射从而形成复合膜，之后，在Se气氛中对该复合膜进行热处理，从而形成Cu — In — Ga 本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：失野智泰，
申请(专利权)人：三井金属矿业株式会社，
类型：
国别省市：