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Cu-Ga合金以及Cu-Ga合金溅射靶制造技术
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文档序号:8390460
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本发明涉及Cu-Ga合金以及Cu-Ga合金溅射靶,所述Cu-Ga合金含有质量百分比25~30%的Ga,且余量为Cu,所述Cu-Ga合金的特征在于,通过电子显微镜得到的组织图像上所呈现出的、Ga浓度为质量百分比30~35%的相即γ相的平均等效...
该专利属于三井金属矿业株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过三井金属矿业株式会社授权不得商用。
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