有机发光装置及其制造方法制造方法及图纸

一种有机发光装置，包括：第一像素电极，布置在衬底上；第一堤部，覆盖所述第一像素电极的边缘，所述第一堤部具有使所述第一像素电极的一部分暴露的第一开口；第二像素电极，覆盖所述第一像素电极通过所述第一开口暴露的部分，所述第二像素电极覆盖所述第一堤部的至少一部分；有机发光层，覆盖所述第二像素电极；以及相对电极，覆盖所述有机发光层。

【技术实现步骤摘要】
有机发光装置及其制造方法
示例性实施方式涉及有机发光装置及其制造方法，更具体地，涉及具有改善的光致发光效率的有机发光装置及其制造方法。
技术介绍
有机发光显示设备以低电压工作且轻便，并且具有小厚度、宽视角、高对比度、以及高响应速度。由于这些优点，它们被视为下一代设备。
技术实现思路
示例性实施方式提供了有机发光装置及其制造方法，该有机发光装置具有由于包含两个像素电极而得到改善的光致发光效率。示例性实施方式还提供了有机发光装置及其制造方法，在该有机发光装置中，在有机发光装置通过印刷制造时，发光部的边缘处的发光被抑制，以改善萃取光的质量。根据示例性实施方式的一个方面，提供了一种有机发光装置，包括：第一像素电极，布置在衬底上；第一堤部，覆盖所述第一像素电极的边缘，所述第一堤部具有使所述第一像素电极的一部分暴露的第一开口；第二像素电极，覆盖所述第一像素电极通过所述第一开口暴露的部分，所述第二像素电极覆盖所述第一堤部的至少一部分；有机发光层，覆盖所述第二像素电极；以及相对电极，覆盖所述有机发光层。所述第一像素电极和所述第二像素电极可包括具有不同折射率的材料。所述第二像素电极可直接位于所述第一像素电极与所述有机发光层之间，所述第一像素电极的表面和所述第二像素电极的表面直接接触。所述第一像素电极和所述第二像素电极各自的第一部分可彼此直接接触，所述第一堤部的一部分可位于所述第一像素电极和所述第二像素电极各自的第二部分之间。所述第一堤部的厚度可约为1μm或更小。所述有机发光装置还可包括位于所述第一堤部上的第二堤部，所述第二堤部包括比所述第一开口更宽并使所述第二像素电极暴露的第二开口。所述第一堤部和所述第二堤部可包括相同的有机材料。所述第二像素电极可包括ITO、IZO、ZnO、In2O3、IGO、以及IZO中的至少一种。所述第二像素电极的厚度可约为100nm或更小。所述第二像素电极可包括金属材料。所述第二像素电极的厚度可约为10nm或更小。根据示例性实施方式的另一个方面，提供了一种制造有机发光装置的方法，包括：在衬底上形成第一像素电极；形成覆盖所述第一像素电极的边缘的第一堤部，所述第一堤部具有使所述第一像素电极的一部分暴露的第一开口；形成覆盖所述第一像素电极通过所述第一开口暴露的部分的第二像素电极，所述第二像素电极覆盖所述第一堤部的至少一部分；形成覆盖所述第二像素电极的有机发光层；以及形成覆盖所述有机发光层的相对电极。所述方法还可包括在所述第一堤部上形成第二堤部，使得所述第二堤部具有比所述第一开口更宽的第二开口且所述有机发光层在所述第二开口所限定的区域中覆盖所述第二像素电极。形成所述第一堤部和所述第二堤部的步骤可包括使用半色调掩模和相同材料同时形成所述第一堤部和所述第二堤部。形成所述第二像素电极的步骤可包括使用折射率与所述第一像素电极的材料的折射率不同的材料。形成所述有机发光层的步骤可包括向所述第二像素电极施加液体有机材料，并进行干燥。形成所述第二像素电极的步骤可包括使用ITO、IZO、ZnO、In2O3、IGO、以及IZO中的至少一种。形成所述第二像素电极的步骤可包括施加材料至厚度约为100nm或更小。形成所述第二像素电极的步骤可包括使用金属材料。形成所述第二像素电极的步骤可包括施加材料至厚度约为10nm或更小。附图说明通过参照附图对示例性实施方式进行详细描述，上述特征和其它特征对本领域技术人员来说将变得显而易见，在附图中：图1示出根据示例性实施方式的有机发光装置的示意性截面视图；图2示出用于对图1的有机发光装置的共振原理进行解释的概念性视图；图3示出用于解释如何在图1的有机发光装置的边缘处抑制光萃取的概念性视图；图4至9示出根据示例性实施方式的制造有机发光装置的方法的阶段的横截面视图；以及图10示出根据其它示例性实施方式的有机发光装置的示意性截面视图。具体实施方式于2011年8月12日提交至韩国知识产权局的题为“OrganicLightEmittingDeviceandMethodofManufacturingtheSame(有机发光装置及其制造方法)”的第10-2011-0080652号韩国专利申请的全部内容并入本文。现在将在下文中参照附图更加充分地描述示例性实施方式；然而，这些示例性实施方式可以表现为不同形式并且不应被解释为受限于文中所述的实施方式。相反，这些实施方式被提供，从而对本领域技术人员来说，本公开将是彻底和完整的，并且将充分覆盖本专利技术的范围。在附图中，为了使图示更加清楚，可以对层和区域的尺寸进行放大。还应理解，当层(或元件)被称为位于另一个层或衬底“上”时，其可以直接位于另一个层或衬底上，或者也可以存在有中间层。此外，还应理解，当层被称为位于两个层“之间”时，其可以仅位于两个层之间，或者也可以存在一个或多个中间层。相似的参考标号自始自终都涉及相似的元件。在下文中，将参照图1对有机发光装置的示例性实施方式进行详细描述。图1示出根据示例性实施方式的有机发光装置100的示意性截面视图。参照图1，第一像素电极120可布置于衬底110上。衬底110可由透明玻璃材料(例如，基本由SiO2组成的材料)形成。然而，用于形成衬底110的材料不限于此，还可以使用各种其他材料(例如，透明塑料材料或金属材料)来形成衬底110。虽未在图1中示出，但衬底110可包括分配给每个像素的多个像素电路单元。像素电路单元中的每一个均可包括至少一个薄膜晶体管(TFT)。像素电路单元中的每一个的TFT中所包含的源电极和漏电极中的任何一个连接至第一像素电极120的至少一部分。此外，TFT可布置于与衬底110上的第一像素电极120交叠的区域中。可替换地，TFT可布置于不与第一像素电极120交叠的区域中。形成于衬底110上的第一像素电极120可以是透明电极、半透明电极、或反射电极。当第一像素电极120是透明或半透明电极时，第一像素电极120可包括例如氧化铟锡(ITO)。氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)、以及氧化铝锌(AZO)中的至少一种。当第一像素电极120是反射电极时，第一像素电极120可包括由例如银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、和/或铬(Cr)形成的反射膜，并且例如由用于形成上述透明或半透明电极的材料形成的透明或半透明膜可形成于该反射膜上。堤部(bank)140可形成于衬底110上，覆盖第一像素电极120的边缘120a。堤部140可包括第一堤部140a和第二堤部140b。第一堤部140a可形成为覆盖第一像素电极120的边缘120a，并且可具有使第一像素电极120的至少一部分(例如中部)暴露的第一开口C1。第二堤部140b可布置于第一堤部140a上，并可具有使第一像素电极120和第一堤部140a的每一个的一部分暴露的第二开口C2。因此，第二开口C2可宽于第一开口C1，并且第一堤部140a和第二堤部140b之间可具有台阶。第一开口C1和第二开口C2可形成锥形形状。根据示例性实施方式，第一堤部140a和第二堤部140b可一体地形成为一个本体并可由相同材料形成。例如，第一和第二堤部140a和140b可由亲水有机材料(例如，聚本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机发光装置，包括：第一像素电极，布置在衬底上；第一堤部，覆盖所述第一像素电极的边缘，所述第一堤部具有使所述第一像素电极的一部分暴露的第一开口；第二像素电极，覆盖所述第一像素电极通过所述第一开口暴露的部分，所述第二像素电极覆盖所述第一堤部的至少一部分；有机发光层，覆盖所述第二像素电极；以及相对电极，覆盖所述有机发光层。

【技术特征摘要】
2011.08.12 KR 10-2011-00806521.一种有机发光装置，包括：第一像素电极，布置在衬底上；第一堤部，覆盖所述第一像素电极的边缘，所述第一堤部具有使所述第一像素电极的一部分暴露的第一开口；第二像素电极，覆盖所述第一像素电极通过所述第一开口暴露的部分，所述第二像素电极覆盖所述第一堤部的至少一部分；第二堤部，位于所述第一堤部上，所述第二堤部包括比所述第一开口更宽并使所述第二像素电极暴露的第二开口；有机发光层，覆盖所述第二像素电极；以及相对电极，覆盖所述有机发光层，其中，所述第二像素电极包括中央部和边缘，所述中央部接触所述第一像素电极，所述边缘从所述中央部延伸，并且所述边缘包括设置在所述第一堤部的通过所述第二开口暴露的上表面上的端部。2.如权利要求1所述的有机发光装置，其中所述第一像素电极和所述第二像素电极包括具有不同折射率的材料。3.如权利要求2所述的有机发光装置，其中所述第二像素电极直接位于所述第一像素电极与所述有机发光层之间，所述第一像素电极的表面和所述第二像素电极的表面直接接触。4.如权利要求1所述的有机发光装置，其中所述第一像素电极和所述第二像素电极各自的第一部分彼此直接接触，所述第一堤部的一部分位于所述第一像素电极和所述第二像素电极各自的第二部分之间。5.如权利要求1所述的有机发光装置，其中所述第一堤部的厚度为1μm或更小。6.如权利要求1所述的有机发光装置，其中所述第一堤部和所述第二堤部包括相同的有机材料。7.如权利要求1所述的有机发光装置，其中所述第二像素电极包括ITO、IZO、ZnO、In2O3、IGO、以及AZO中的至少一种。8.如权利要求7所述的有机发光装置，其中所述第二像素电极的厚度为100nm或更小。9.如权利要求1所述的有机发光装置，其中所述第二像素电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：金英一，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：