功率半导体布置、具有多个该布置的功率半导体模块以及包含多个该模块的模块组装件制造技术

本发明专利技术名称为“功率半导体布置、具有多个功率半导体布置的功率半导体模块以及包含多个功率半导体模块的模块组装件”。本发明专利技术提供功率半导体布置(1)，其包括含钼层(4)的基板(2)，以及安放到基板(2)顶面并与之电耦合及热耦合的功率半导体器件(3)，其中基板(2)包含金属安放基底(6)，金属安放基底(6)设置在半导体器件(3)与钼层(4)之间并防止钼层(4)与半导体器件(3)形成高电阻金属间相。本发明专利技术进一步提供半导体模块，特别是具有多个半导体布置的功率半导体模块，其中功率半导体布置(1)的基板(2)是公共基板(2)。本发明专利技术还提供模块组装件，特别是功率半导体模块组装件，其包含多个功率半导体模块，其中半导体模块互相并排设置且相邻半导体模块之间有电连接。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及功率半导体布置，其包括含钥层的基板，以及安放到基板顶面并与之电耦合及热耦合的功率半导体器件。本专利技术进一步涉及具有多个功率半导体布置的功率半导体模块。本专利技术还涉及模块组装件，特别是包含多个功率半导体模块的功率半导体模块组装件。
技术介绍
上述种类的功率半导体布置是本领域众所周知的并且用于例如安放和接触功率半导体器件以及大功率半导体领域。这些功率半导体器件可处理约I. 7 kV或更高的电压，并通过粘合、焊接或其它方式安放到基板上。这些功率半导体布置中的基板与功率半导体 器件的一面表面接触，这样可从基板直接提供电流到功率半导体器件。功率半导体器件与基板之间的表面接触实现从功率半导体传走热量。为了保持功率半导体器件处于所需的工作温度，可将冷却器连接到基板作为散热器。相应地，功率半导体器件热耦合和电耦合到基板。用于此领域的典型功率半导体器件为绝缘栅双极晶体管(IGBT)、反向导电隔离栅双极晶体管(反向导电IGBT)、双模绝缘栅晶体管(BIGT)或(功率)二极管。例如为了形成可处理高达100 A或更高的电流的功率半导体模块，经常组合这类功率半导体器件。功率半导体布置在公共本文档来自技高网...

【技术保护点】
功率半导体布置(1)，包括包含钼层(4)的基板(2)，以及功率半导体器件(3)，其安放到所述基板(2)的顶面并与之电耦合和热耦合，以及母座，其在所述基板(2)的相对侧上设置到所述功率半导体器件旁边，其特征在于所述基板(2)包含金属安放基底(6)，所述金属安放基底(6)设置在所述半导体器件(3)与所述钼层(4)之间并且防止所述钼层(4)与所述半导体器件(3)形成高电阻金属间相。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：F杜加尔，
申请(专利权)人：ABB技术有限公司，
类型：发明
国别省市：