本发明专利技术提供静电卡盘以及半导体装置或液晶显示装置的制造装置，其课题是，在具备多个卡盘区域并且在设于其外侧区域的凹面部中配置用于运送晶片的托盘的静电卡盘中，提高可靠性。作为解决手段，该静电卡盘包含：卡盘功能部(10)，其具有载置晶片(2)的多个卡盘区域(R)和设于卡盘区域(R)的外侧区域中的凹面部(C)；以及电极(40、40a)，其分别配置在与卡盘区域(R)对应的卡盘功能部(10)的内部和与凹面部(C)对应的卡盘功能部(10)的内部。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及在吸附晶片等被吸附物的机构中使用的静电卡盘以及具有该静电卡盘的半导体/液晶制造装置。
技术介绍
一直以来，在半导体晶片工艺等中使用的干蚀刻装置或CVD装置等半导体制造装置中，为了在各种工艺中控制晶片温度而具备以静电吸附方式载置晶片的静电卡盘。例如，干蚀刻装置具备受到冷却的静电卡盘，使得晶片温度不因等离子处理而上升至规定温度以上，并且晶片被冷却成晶片温度在某温度下保持均衡。 专利文献I日本特开2005-64460号公报专利文献2日本特开2011-114178号公报如在后述的准备事项一栏中说明的那样，具有静电卡盘，该静电卡盘具备多个卡盘区域，在设于多个卡盘区域的外侧区域的凹面部中配置用于运送晶片的托盘。在蚀刻装置中应用了这样的静电卡盘时，托盘未吸附于静电卡盘，所以托盘的温度大大高于晶片的温度。因此，在晶片内，周缘部的温度变高，从而在晶片内，蚀刻特性产生偏差，成为导致合格率降低的要因。另外，当托盘成为高温时，容易产生运送问题。因此，需要等待至托盘得到冷却，所以存在吞吐量降低、生产效率变差的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的是，在具备多个卡盘区域并且在设于其外侧区域的凹面部中配置用于运送被吸附物的托盘的静电卡盘中，提高可靠性。根据以下公开的一个方面，提供一种静电卡盘，该静电卡盘具备卡盘功能部，其具有载置被吸附物的多个卡盘区域和设于所述卡盘区域的外侧区域中的凹面部；以及电极，其分别配置在与所述卡盘区域对应的所述卡盘功能部的内部和与凹面部对应的所述卡盘功能部的内部。另外，根据所公开的另一方面，提供一种半导体/液晶制造装置，该半导体/液晶制造装置具备腔室；安装于所述腔室的静电卡盘；以及用于运送被吸附物的托盘，所述静电卡盘具备卡盘功能部，其具有载置被吸附物的多个卡盘区域和设于所述卡盘区域的外侧区域中的凹面部；电极，其分别配置在与所述卡盘区域对应的所述卡盘功能部的内部和与凹面部对应的所述卡盘功能部的内部，用于运送所述被吸附物的托盘在与所述卡盘区域对应的部分处具有开口部，并且该托盘被配置于所述静电卡盘的凹面部。根据以下所公开的内容，静电卡盘具备用于吸附运送用托盘的电极，所以托盘成为充分吸附于静电卡盘的状态。由此，在将静电卡盘应用于干蚀刻装置的情况下，与晶片(被吸附物)同样，从等离子体施加给托盘的热量从静电卡盘释放到外部而得到充分冷却。因此，晶片不会受到来自托盘的热量的影响，所以能够在晶片内确保温度的均匀性，提高晶片内的蚀刻处理的合格率。另外，因为托盘在静电卡盘上得到充分冷却，所以在蚀刻处理结束之后，能够立刻用臂部以高可靠性来运送托盘。由此，能够提高蚀刻处理的吞吐量，有助于生产效率的提闻。 附图说明图I是说明准备事项的剖视图(之I)。图2是说明准备事项的剖视图(之2)。图3是示出第I实施方式的静电卡盘的剖视图。图4是示出第I实施方式的静电卡盘的俯视图。图5是示出在第I实施方式的静电卡盘中用托盘将晶片向上侧托起的状态的剖视图。图6是示出第2实施方式的静电卡盘的剖视图。图7是示出第3实施方式的静电卡盘的剖视图。图8是示出第4实施方式的静电卡盘的剖视图。图9是示出具有实施方式的静电卡盘的干蚀刻装置(半导体/液晶制造装置)的剖视图。符号说明I、la、lb、Ic…静电卡盘,2…晶片，5…干蚀刻装置，10----^盘功能部,20…基板(base plate), 22…冷却水路，24…加热电极，26…粘接剂，30、30a…气孔，32、32a…凹部，34…凸部，40、40a...电极，50...托盘，50a…开口部，52…突出部，54...升降销(liftpin)，56…对焦环,60…腔室,70…下部电极,74…高频电源,76…排气管,78***APC阀,80…上部电极，82…气体导入管，C…凹面部，L，LI，L2…气体路径，R…卡盘区域。具体实施例方式以下，参照附图来说明实施方式。在说明实施方式之前，对基础的准备事项进行说明。如图I所示，静电卡盘100具备多个卡盘区域R，在各卡盘区域R中载置晶片200。在静电卡盘100的各卡盘区域R的内部分别设置有电极300。另外，静电卡盘100的各卡盘区域R的外侧区域为凹面部C。并且，在静电卡盘100的凹面部C中配置有一体型的托盘400，该托盘400在与静电卡盘100的各卡盘区域R对应的部分处分别设有开口部400a。 在托盘400的开口部400a的侧壁上，在厚度方向的下部设有向内侧突出的环状突出部420。在静电卡盘100的周缘部，环状地配置有用于使托盘400上下移动的多个升降销500。此外，静电卡盘100在下侧具备设有冷却水路的基板(未图示)，通过在冷却水路中流过冷却水，来对各卡盘区域R进行冷却。并且，当对静电卡盘100的电极300施加电压时，通过静电引力将晶片200吸附于静电卡盘100。例如，在将静电卡盘100安装于干蚀刻装置的情况下，在腔室内产生等离子体，在对载置于静电卡盘100上的多个晶片200进行冷却的状态下同时进行蚀刻。如图2所示，当蚀刻结束时，通过使升降销500向上侧移动来使托盘400向上侧移动，各晶片200的周缘部搭载于托盘400的突出部420上而向上侧升起。此外，利用臂部(未图示)将搭载着晶片200的托盘400从腔室中运送到外部。当在图I的状态下对晶片200进行蚀刻时，托盘400也被暴露于等离子体中。此时，因为在托盘400下不存在静电卡盘100的电极300，所以托盘400成为被单纯地放置在静电卡盘100上的状态。因此，托盘400的冷却未得到充分实施，因此托盘400从等离子体中吸收热量而成为高温。由于成为高温的托盘400的影响，晶片200周缘侧的温度变高，各晶片200内的温 度的均匀性变差。由此，在晶片200内容易产生蚀刻速率、抗蚀剂或者基底的选择比的偏差，成为导致晶片200内的蚀刻处理的合格率降低的要因。另外，当托盘400成为100°C以上的高温时，从托盘400向运送托盘400的臂部进行热传导，有时因臂部发生热膨胀而引起运送问题。因此，在蚀刻处理结束之后，需要等待至托盘400得到冷却，所以，随着蚀刻处理的吞吐量(每单位时间的晶片处理能力)的降低，生产效率变差。以下说明的实施方式的静电卡盘能够消除上述问题。(第I实施方式)图3是示出第I实施方式的静电卡盘的剖视图，图4是示出第I实施方式的静电卡盘的俯视图。如图3所示，第I实施方式的静电卡盘I具备基板20和卡盘功能部10，该卡盘功能部10通过硅树脂等粘接剂26粘接在基板20上。基板20例如由铝等金属形成，在内部设有冷却水路22作为冷却机构。卡盘功能部10例如由氧化铝等陶瓷形成，在表面上具备载置晶片(被吸附物)的多个卡盘区域R。在各卡盘区域R中，在表面设有用于提供传热用气体的气孔30和与该气孔30连通且在水平方向上延伸的凹部32，在凹部32中岛状地配置有多个凸部34。在静电卡盘I的各卡盘区域R表面的多个凸部34上接触地载置晶片2。这样，静电卡盘I的各卡盘区域R的表面设有与气孔30连通的凹部32和多个凸部34而成为凹凸形状(emboss形状)。由此，传热用气体从包含气孔30的气体路径L经过凹部32均匀地提供到晶片2的整个背面。在静电卡盘I的各卡盘区域R的内部分别设有用于施加电压来吸附晶片2的电极40。电极40优选由钨(W)本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种静电卡盘，其特征在于，该静电卡盘具备：卡盘功能部，其具有载置被吸附物的多个卡盘区域和设于所述卡盘区域的外侧区域中的凹面部；以及电极，其分别配置在与所述卡盘区域对应的所述卡盘功能部的内部和与凹面部对应的所述卡盘功能部的内部。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：白岩则雄，
申请(专利权)人：新光电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：
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