有机导电膜制造技术

本发明专利技术的目的在于提供耐久性优异的有机导电膜。本发明专利技术的有机导电膜为使用至少含有导电性聚合物的导电性组合物而形成的有机导电膜，该有机导电膜的特征在于，其单面的最大高度(RZ)相对于平均膜厚为35%以上。

【技术实现步骤摘要】
有机导电膜
本专利技术涉及耐久性优异的有机导电膜以及具有这样的有机导电膜的光学膜、包装材、透明电极膜和液晶显示盒。
技术介绍
作为显示屏用途等中使用的透明导电膜(透明电极等)，已知有由ITO等无机系透明导电材料形成的导电膜。但是，在使用ITO的透明导电膜的形成中，通常是使用大规模的真空装置利用溅射等方法来进行的，有制造成本增高的倾向。另外，ITO含有作为稀有金属(所谓raremetal)的铟，人们担心其资源的枯竭。因此，近年来，正积极尝试使用导电性聚合物作为ITO的代替材料。对于作为有机导电材料的导电性聚合物，可通过基于辊涂机、印刷等湿法工艺的简便方法来进行其成膜，并且由于导电性聚合物为有机物，因而与无机系导电材料相比，其在资源丰富存在这一点上占优势地位。在该领域中，已知业已可将导电性聚合物用于几乎各种用途中；但在使用导电性聚合物进行成膜的情况下，其膜厚一般是均匀的。另一方面，与由无机系导电材料形成的导电膜相比，使用导电性聚合物形成的有机导电膜有耐热性、耐候性低、耐久性差这样的课题。例如，作为导电性聚合物广泛已知的是聚噻吩系导电性聚合物(例如PEDOT／PSS)，但已知其导电性随时间推移而降低，有人认为其劣化机制乃空气中的氧造成的氧化反应(例如非专利文献1)。另外，本专利技术人也认识到，在使用聚噻吩系导电性聚合物形成均匀的膜的情况下，其导电性缓慢地丧失，不耐长期使用。【现有技术文献】【非专利文献】非专利文献1：工藤康夫编著、ElectronicJournalArchivesNo.118、电子专刊(電子ジャーナル)、2011年、133页【
技术实现思路
】【专利技术所要解决的课题】本专利技术的目的在于解决上述课题，提供耐久性优异的有机导电膜以及具备这样的有机导电膜的光学膜、包装材、透明电极膜和液晶显示盒。【解决课题的手段】本专利技术人为了解决上述课题进行了深入研究，结果发现，通过使有机导电膜的单面的最大高度(Rz)相对于平均膜厚为35%以上，可显著提高有机导电膜的耐久性，从而完成了本专利技术。即，本专利技术的有机导电膜为使用至少含有导电性聚合物的导电性组合物形成的有机导电膜，该有机导电膜的特征在于，其单面的最大高度(Rz)相对于平均膜厚为35%以上。在本专利技术的有机导电膜中，上述导电性聚合物优选为聚噻吩系导电性聚合物。并且，上述聚噻吩系导电性聚合物优选为具有下述式(I)的重复结构的聚(3,4-二烷氧基噻吩)或聚(3,4-亚烷基二氧噻吩)与掺杂剂的复合物(複合体)：【化1】(式中，R1和R2相互独立地表示氢原子或C1-4烷基、或者一起表示具有或不具有取代基的C1-4亚烷基)。本专利技术的光学膜的特征在于，其具有本专利技术的有机导电膜。本专利技术的包装材的特征在于，其具有本专利技术的有机导电膜。本专利技术的透明电极膜的特征在于，其具有本专利技术的有机导电膜。本专利技术的液晶显示盒的特征在于，其具有本专利技术的有机导电膜。【专利技术的效果】本专利技术的有机导电膜中，由于其单面的最大高度(Rz)相对于平均膜厚为35%以上，因而耐久性极为优异。并且，具备这样的有机导电膜的光学膜、包装材、透明电极膜和液晶显示盒也分别具有优异的耐久性。【附图说明】图1(a)为示意性示出本专利技术的有机导电膜的一例的截面图，图1(b)～图1(d)为示出了图1(a)所示的有机导电膜的劣化的经时变化的示意图。图2(a)为示意性示出了现有的有机导电膜的一例的截面图，图2(b)～图2(d)为示出了图2(a)所示的有机导电膜的劣化的经时变化的示意图。【符号说明】11、21基材12a、22a有机导电膜12b、22b劣化部分【具体实施方式】首先对本专利技术的有机导电膜进行说明。本专利技术的有机导电膜为使用至少含有导电性聚合物的导电性组合物形成的有机导电膜，该有机导电膜的特征在于，其单面的最大高度(Rz)相对于平均膜厚为35%以上。此处，最大高度(Rz)为以JISB0601-2001为基准进行测定的值。另外，所谓平均膜厚为将有机导电膜近似为其表面平滑的膜时的厚度平均值，其为通过对均匀涂布导电性组合物并进行干燥的情况下的膜厚进行计算而求得的值。例如，在以9μm的膜厚涂布固体成分为1%的导电性组合物并进行干燥的情况下，有机导电膜的平均膜厚为90nm。上述有机导电膜由于其单面的最大高度(Rz)相对于平均膜厚为35%以上，因而耐久性极为优异。下面，参照附图对于其理由进行说明。图1(a)为示意性示出本专利技术的有机导电膜的一例的截面图，图1(b)～图1(d)为示出了图1(a)所示的有机导电膜的劣化的经时变化的示意图。图2(a)为示意性示出了现有的有机导电膜的一例的截面图，图2(b)～图2(d)为示出了图2(a)所示的有机导电膜的劣化的经时变化的示意图。一般来说，对于由含有导电性聚合物的导电性组合物形成的有机导电膜来说，通过与光或空气中的氧接触，导电性聚合物的化学结构发生变化或发生脱掺杂，从而导电性发生降低，这是众所周知的。例如，对于作为导电性聚合物的代表例而广为人知的PEDOT／PSS，有人认为其劣化机制之一乃空气中的氧造成的氧化反应(非专利文献1)。因而，对于由含有这样的导电性聚合物的导电性组合物形成的有机导电膜来说，可预计其从与空气接触的膜的表面开始劣化，劣化向膜的内部发展。据认为，该劣化是通过劣化触发因素(trigger)——氧向膜中的渗透、扩散这一过程而进行的。但是，由于该劣化反应为固体中的反应，因而据推测，反应呈扩散控速(拡散律速)，其结果，可预计其膜越厚则至膜完全劣化为止的时间越长。另外，如图2(a)所示，使用含有导电性聚合物的导电性组合物而形成的有机导电膜通常为厚度均匀的有机导电膜22a(另外，图2中，21为基材)。另外，由于有机导电膜22a的劣化通过上述过程进行，因而劣化部分22b以均匀厚度增加(劣化在厚度方向均匀进行)(参照图2(b)～图2(d))。因此，至膜整体发生劣化为止的时间变短。另一方面，本专利技术的有机导电膜中，其单面的最大高度(Rz)相对于平均膜厚为35%以上，如图1(a)所示，有机导电膜12a在其表面具有凹凸。因此，有机导电膜12a中，尽管其膜中的较薄部分快速劣化，但膜中存在大量的较厚部位，至该厚膜部分完全劣化为止所需要的时间长于涂布相同量的导电性组合物而形成的有机导电膜。即，本专利技术的有机导电膜中，与涂布相同量的导电性组合物而形成的有机导电膜相比，其不易劣化(残留有未发生劣化的部分)，因而，结果膜整体的劣化速度变慢。另外，图1中，11为基材、12b为劣化部分。在上述有机导电膜中，上述最大高度(Rz)相对于平均膜厚为35%以上。其原因在于，在最大高度小于35%的情况下，有机导电膜的耐久性(膜耐久性)显著变差。从膜耐久性的方面出发，上述最大高度(Rz)相对于平均膜厚优选为50%以上、更优选为100%以上、进一步优选为200%以上、最优选为250%以上。另外，上述最大高度(Rz)相对于平均膜厚优选为600%以下。其原因在于，若最大高度超过600%，则表面上的光的乱反射显著，光学特性变差。另外，从光学特性的方面出发，最大高度(Rz)相对于平均膜厚更优选为500%以下、最优选为450%以下。另外，对于上述有机导电膜来说，在2处以上的位置对上述最大高度(Rz)进行测定的情况下，特别优选至少1处位置的最大高度(R本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机导电膜，其为使用至少含有导电性聚合物的导电性组合物而形成的有机导电膜，该有机导电膜的特征在于，其单面的最大高度Rz相对于平均膜厚为35%以上。

【技术特征摘要】
2011.08.17 JP 2011-178502;2012.07.23 JP 2012-16291.一种有机导电膜，其为使用至少含有导电性聚合物的导电性组合物而形成的有机导电膜，该有机导电膜的特征在于，其单面的最大高度Rz相对于平均膜厚为50％以上，平均膜厚为60nm～400nm，所述导电性组合物包含1重量％以上的水。2.如权利要求1所述的有机导电膜，其中，所述导电性聚合物为聚噻吩系导电性聚合物。3.如权利要求2所述的有机导电膜，其中，所述聚噻吩系导电...

【专利技术属性】
技术研发人员：山西正人，千种康男，细见哲也，
申请(专利权)人：长濑化成株式会社，
类型：发明
国别省市：