硅晶片碱腐蚀废液的回收处理系统技术方案

本实用新型专利技术涉及一种化学腐蚀废液的回收处理系统，所述回收处理系统采用电解技术与离子交换膜技术相结合实现硅晶片的碱腐蚀废液的回收利用。本实用新型专利技术所涉及的回收处理系统可以减少碱腐蚀液的消耗，避免大量废水的排放，从而做到降低生产成本，节约能源，保护环境，同时本实用新型专利技术的回收处理系统操作简单，几乎可实现零污染排放。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及化学腐蚀废液的回收处理系统，具体的讲，涉及硅晶片的碱腐蚀废液的回收处理系统。
技术介绍
目前，硅晶片蚀刻后产生碱废液主要来源两大行业太阳能电池行业和半导体行业。太阳能电池生产一般要经过这样的流程扩散前制绒、扩散、扩散后清洗、刻蚀、PECVD、丝网印刷、烧结、分类检测和封装等。其中制绒是为了去除硅晶片表面的切割损伤层，形成陷光效果好的绒面结构；刻蚀是为了去除扩散后硅晶片四周的N型硅，以防漏电。一般刻蚀采用两种方法干法和湿法。在制绒和湿法刻蚀过程中通常使用氢氟酸、硝酸、盐酸、硫酸等混合酸清洗液和氢氧化钠、氢氧化钾等碱清洗液。不管是多硅晶还是单硅晶生产中碱液都起到很重要的作用。此外，在半导体行业中，例如1C、LSI等集成电路、晶体管或二极管等单片半导体元件的硅晶片制造工序中，为了得到平坦度高的硅晶片，通常采用氢氧化钠或氢氧化钾的溶液来对通过直拉法或浮融法得到的单晶进行镜面抛光处理。在利用氢氧化钠(或氢氧化钾)清洗或刻蚀过程中，主要生成了硅酸钠(或硅酸钾)和残余的氢氧化钠(或氢氧化钾)的废水。以往，多采用在这种废水中添加硫酸等酸来进行处理，将废水中的碱液中和，同时使偏硅酸根转化为本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硅晶片碱腐蚀废液的回收处理系统，其特征在于，所述系统包括：固液分离装置(11)，用于对硅晶片的碱腐蚀废液进行固液分离从而得到澄清废液和固体悬浮物；固体储存槽(12)，其通过管线与固液分离装置(11)连接，用于接受分离出来的固体悬浮物；电解槽，其分为中间室(13)、阴极室(14)和阳极室(15)，其中，中间室(13)通过管线与固液分离装置(11)连接，用于接收从固液分离装置(11)分离出的废液，阴极室(14)中加入稀氢氧化钠溶液作为电解液，阳极室(15)中加入HF溶液；中间室(13)与阴极室(14)用阳离子交换膜(16)隔开，中间室(13)与阳极室(15)用阴离子交换膜(18)隔开；后处理装...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张新华，范琼，潘加永，
申请(专利权)人：库特勒自动化系统苏州有限公司，
类型：实用新型
国别省市：