掺钕钼酸镥钠激光晶体及其制备方法技术

本发明专利技术提供掺钕钼酸镥钠激光晶体及其制备方法。该晶体属于四方晶系，空间群为，晶胞参数为a=5.1624?，c=11.2397?，V=299.5422?3，Z=2，Dc=5.741?g/cm3。该晶体可采用助熔剂法生长，以60-80at%?Na2Mo2O7为助熔剂，降温速率为0.5-1.5℃/天，转速为5-30转/分钟，生长出了高质量、较大尺寸的Nd3+:NaLu(MoO4)2晶体，其吸收光谱在817nm处呈现出较大的吸收截面，吸收半峰宽达到了16nm,?其发射截面为12.31×10-20cm2，该晶体可望成为一种新的激光晶体，并获得实际应用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光电子功能材料
，尤其是涉及一种适合AlGaAs 二极管激光器泵浦的固态激光器工作物质的激光晶体材料。
技术介绍
自1960年美国的梅曼(T. H. Maiman)在实验室中用人造红宝石晶体专利技术了世界上第一台激光器以来，全固态激光器得到了飞速的发展。而1961年首次在CaF2 = Sm3+晶体中实现的激光输出揭开了大力研究三价稀土离子作为受激发射的激活离子固态激光晶体的序幕。到二十世纪80年代中期，随着半导体二极管的迅猛发展，利用其优异性能研制的二极管激光器(LD)作为新型泵浦源来替代传统的闪光灯作为泵浦源也被广泛的引入到激光器中，从而大大提高了激光器的输出效率，促进了激光技术的飞速发展。LD泵浦激光器是指利用激光二极管作为泵浦源来激励激光晶体，产生激光振荡。这种新型的泵浦源的优点·在于 LD具有高得多的光谱和空间亮度、高的光电转换效率、长的寿命和输出辐射在时间波形上有更大的灵活性。目前LD的发光波长己经从紫色延伸到中红外，作为泵浦源的AlGaAs，AlGaIn和InGaAs激光二极管的发射峰分别处于797 810 nm, 670^690 nm和900 11本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种掺钕钼酸镥钠激光晶体，其特征在于：该晶体的分子式为Nd3+:NaLu(MoO4)2，属于四方晶系，具有空间群结构，晶胞参数为a=5.1624？，c=？11.2397？，V=299.5422？3，Z=2，Dc=5.741？g/cm3。FDA0000228948791.jpg

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王国富，余意，张莉珍，黄溢声，林州斌，
申请(专利权)人：中国科学院福建物质结构研究所，
类型：发明
国别省市：