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本发明提供掺钕钼酸镥钠激光晶体及其制备方法。该晶体属于四方晶系，空间群为，晶胞参数为a=5.1624?，c=11.2397?，V=299.5422?3，Z=2，Dc=5.741?g/cm3。该晶体可采用助熔剂法生长，以60-80at%?Na...该专利属于中国科学院福建物质结构研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院福建物质结构研究所授权不得商用。
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本发明提供掺钕钼酸镥钠激光晶体及其制备方法。该晶体属于四方晶系，空间群为，晶胞参数为a=5.1624?，c=11.2397?，V=299.5422?3，Z=2，Dc=5.741?g/cm3。该晶体可采用助熔剂法生长，以60-80at%?Na...