【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及金属纳米颗粒无机复合物的制备方法,所述金属纳米 颗粒无机复合物由作为基质的透明氧化物如S i02和以高密度分散在基 质中的金属纳米颗粒如银构成。本专利技术还涉及由该方法制备的金属纳 米颗粒无机复合物。
技术介绍
表面等离子体激元(plasmon)是具有引起电场局域化和电场增强 的性能的电磁模式,并且最近在纳米技术和生物
中对其多种 应用进行了研究。表面等离子体激元的应用之一是等离子体激元极化, 其中光借助具有纳米尺度尺寸的金属纳米颗粒而传输。为了用于这样 的应用,研究了金属纳米颗粒的各种制备方法。此外,为增强信号强 度,还研究了替代一维结构的二维或三维结构的制备。本领域中用于制备金属纳米颗粒结构的最常用方法是电子束光刻 (lithography)。在该技术中,高度的CMOS技术和昂贵的装置是关键。另外,基本难以制备三维结构。除了采用电子束光刻的制备方法外,热衷地进行丁基于化学合成 的金属纳米颗粒的制备,以便以较低成本制备金属纳米颗粒。这样化 学方法的例子的描述见如下报导在Zsigmoddy方法(一种还原方法) 中,溶液的PH在还原步骤中快速变 ...
【技术保护点】
一种制备金属纳米颗粒无机复合物的方法,包括: 氧化物膜形成步骤,其中通过溶胶-凝胶法在基材上形成具有微孔的氧化物膜,在所述溶胶-凝胶法中,金属醇盐受酸催化剂的作用部分水解, 锡沉积步骤,其中使氧化物膜与氯化锡的酸性水溶液接触, 过量Sn↑[2+]离子去除步骤,其中从微孔中除去Sn↑[2+]离子, 金属纳米颗粒沉积步骤,其中使氧化物膜与金属螯合物的水溶液接触以便在微孔中沉积金属纳米颗粒,以及 过量金属离子去除步骤,其中从微孔中除去金属离子。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:丸山美保,都鸟显司,多田宰,吉村玲子,堀田康之,山田纮,山际正和,
申请(专利权)人:株式会社东芝,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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