本实用新型专利技术提出了一种真空管道，包括：管体，所述管体的壁上设有用于向所述管体内供给保护气体以避免在所述管体内输送的物料腐蚀所述管体的内壁和/或沉积在所述内壁上的供气孔。根据本实用新型专利技术实施例的真空管道，管体上设置有供气孔可向管体内供给保护气体，从而可以在管体的内壁上形成有一层保护气膜，进而避免了在管体内输送的物料腐蚀管体的内壁和/或沉积在管体的内壁上，可提高管体的使用寿命，降低成本。本实用新型专利技术还提出了一种具有上述真空管道的微电子设备。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及微电子设备领域，尤其是涉及一种防腐防沉积的真空管道和具有它的微电子设备。
技术介绍
在微电子设备中，具有很多真空设备，涉及到各种各样的工艺，比如等离子刻蚀、沉积、去胶等。在很多工艺中，工艺副产物有腐蚀性或者很容易沉积到其他部件上。由于相关的工艺气体或副产物具有腐蚀性，以刻蚀工艺为例，工艺气体一般含有Cl，HBr等，很容易和真空管道内的管壁发生反应，腐蚀真空管壁。如果为沉积工艺，相关工艺气体和副产品很容易沉积在真空管道管壁上，如Si3N4沉积工艺时，Si3N4很容易沉积在真空管道管壁上。目前一般是把真空管道加热，防止工艺副产物或工艺气体和真空管道反应或沉积，使得工 艺副产物和工艺气体尽快被抽出，但有时候温度过高，特定的工艺可能会加快和真空管道的反应，效果不是很好。
技术实现思路
本技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本技术的一个目的在于提出一种真空管道，该真空管道可避免物料腐蚀和/或沉积在管体的内壁上。本技术的另一个目的在于提出一种具有上述真空管道的微电子设备。根据本技术第一方面的真空管道，包括管体，所述管体的壁上设有用于向所述管体内供给保护气体以避免在所述管体内输送的物料腐蚀所述管体的内壁和/或沉积在所述内壁上的供气孔。根据本技术的真空管道，管体上设置有供气孔可向管体内供给保护气体，从而可以管体的内壁上形成有一层保护气膜，进而避免了在管体内输送的物料腐蚀管体的内壁和/或沉积在管体的内壁上，可提高管体的使用寿命，降低成本。根据本技术，所述真空管道进一步包括分配管，所述分配管设在所述管体内且在所述管体与所述分配管之间形成分配空间，所述分配管的管壁上设有用于将从所述供气孔供给到所述分配空间内的保护气体分配到所述分配管内的多个分配孔。由此，通过设置有分配管可使得保护气体在管体的内壁上分布更加均匀，且通过设置有分配孔可使得保护气体均匀的分布在分配管的内壁上，可避免物料腐蚀分配管的内壁和/或沉积在分配管的内壁上，且保证了管体内壁的洁净。进一步地，所述管体与所述分配管同轴设置。从而，可保证保护气体均匀分布在分配空间内。优选地，所述多个分配孔布置成多个直线阵列，所述多个直线阵列平行沿所述分配管的轴向延伸且沿所述分配管的周向间隔设置。由此，保证了保护气体可均匀的分布在分配空间和分配管的内壁上。优选地，所述多个分配孔布置成多个阵列，每个阵列内的分配孔绕所述分配管的轴向螺旋分布。由此，保证了保护气体可均匀的分布在分配空间和分配管的内壁上。优选地，所述分配孔均匀地分布在所述分配管上。由此，保证了保护气体可均匀的分布在分配空间和分配管的内壁上。优选地，所述保护气体为惰性气体。根据本技术第二方面的微电子设备，包括反应室，所述反应室具有进气口和出气口 ；工艺气体输送装置，所述工艺气体输送装置与所述反应室的进气口相连，用于向所述反应室内输送工艺气体；真空管道，所述真空管道为根据本技术第一方面的真空管道，所述真空管道与所述反应室的出气口相通；和真空泵，所述真空泵与所述真空管道相连。根据本技术的微电子设备，通过设置有真空管道，真空管道内通入保护气体从而在管体的内壁上形成有保护膜，避免反应生成物腐蚀管体的内壁和/或沉积在管体的内壁上，使得反应生成物可尽快被真空泵抽出并排放到微电子设备的外部，从而提高真空管道的使用寿命，进而降低成本，延长微电子设备的使用寿命。优选地，所述微电子设备进一步包括隔离阀和压力控制阀，所述隔离阀和所述压力控制阀分别设置在所述真空管道的管体上。可选地，所述微电子设备为CVD设备或PECVD设备。根据本技术的微电子设备，可有效的避免反应生成物腐蚀真空管道的管体的内壁和/或沉积在管体的内壁上，从而提高了真空管道的使用寿命，降低了成本。本技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本技术的实践了解到。附图说明本技术的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中图I为根据本技术实施例的真空管道的立体示意图；图2为图I所不的真空管道的王视不意图；图3为图I所示的真空管道中的分配管的示意图；和图4为根据本技术实施例的微电子设备的示意图。具体实施方式下面详细描述本技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本技术，而不能理解为对本技术的限制。在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底” “内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。此外，在本技术的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。下面参考图I-图4描述根据本技术实施例的真空管道100，该真空管道100可设置在微电子设备200上，微电子设备200内的反应生成物可通过真空管道100后被排出微电子设备200。根据本技术实施例的真空管道100，如图I-图3所示，包括管体1，管体I的 壁上设有用于向管体I供给保护气体以避免在管体I内输送的物料腐蚀管体I的内壁和/或沉积在内壁上的供气孔10。供气孔10可与保护气体供给装置(图未示出)相连以向管体I内供给保护气体。优选地，保护气体为惰性气体。根据本技术实施例的真空管道100，管体I上设置有供气孔10可向管体I内供给保护气体，从而可以管体I的内壁上形成一层保护气膜，进而避免了在管体I内输送的物料腐蚀管体I的内壁和/或沉积在管体I的内壁上，可提高管体I的使用寿命，降低成本。根据本技术的一些实施例，如图I-图3所示，真空管道100进一步包括分配管2，分配管2设在管体I内且在管体I与分配管2之间形成分配空间3，分配管2的管壁上设有用于将从供气孔10供给到分配空间3内的保护气体分配到分配管2内的多个分配孔20。进一步地，管体I和分配管2同轴设置。换言之，分配管2上设置有多个分配孔20，保护气体从供气口 10进入到分配空间3内且一部分保护气体可从分配孔20进入到分配管2内，从而管体I的内壁上和分配管2的内壁上均形成有一层保护膜。由此，通过设置有分配管2可使得保护气体在管体I的内壁上分布更加均匀，且通过设置有分配孔20可使得保护气体均匀的分布在分配管2的内壁上，可避免物料腐蚀分配管2的内壁和/或沉积在分配管2的内壁上，且保证了管体I内壁的洁净。如图3所示，在本技术的一个示例中，多个分配孔2本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种真空管道，其特征在于，包括：管体，所述管体的壁上设有用于向所述管体内供给保护气体以避免在所述管体内输送的物料腐蚀所述管体的内壁和/或沉积在所述内壁上的供气孔。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：南建辉，
申请(专利权)人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，
类型：实用新型
国别省市：
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