化学机械研磨方法技术

本发明专利技术提供一种化学机械研磨方法包括：利用固定颗粒研磨垫研磨去除晶圆上的第一待研磨层；选出具有研磨残留的晶圆；覆盖第二待研磨层，所述第二待研磨层的材质与第一待研磨层的材质相同；研磨去除晶圆上的第二待研磨层。本发明专利技术所述化学机械研磨方法在具有研磨残留的晶圆上覆盖第二待研磨层，并利用固定颗粒研磨垫对第二待研磨层进行研磨，第二待研磨层的材质与第一待研磨层材质相同，故以相同的研磨方式进行研磨；在研磨第二待研磨层的过程中，固定颗粒研磨垫的研磨速率逐渐提高并达到一稳定值，在去除了第二待研磨层同时，利用研磨速率的惯性作用彻底去除研磨残留，从而提高了研磨效果，彻底去除研磨残留。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种集成电路制造方法，尤其涉及一种用于提高固定颗粒研磨垫研磨效果的。
技术介绍
电子系统和电路对现代社会的进步有显著的贡献，并用于多种应用以取得最佳的结果。能够提供这种最佳结果的电子系统通常包括芯片晶圆上的集成电路(1C)。对于IC晶圆的制造来说，以有效和充分的方式执行抛光步骤是个关键。复杂的IC通常具有多个不同的叠加层，每一层均重叠在前一层的上面并按多种互联方式包括有多个组件。将IC组件叠加所说的层内时，这些复杂的IC最终表面外形是凸凹不平的(例如，他们通常类似于有 多个上升部或“丘陵”或者下降部或“山谷”的凸凹陆地“山脉”)。现有技术中，抛光是获得晶圆表面平面化的最佳方法。最常用的抛光技术是化学机械研磨(CMP, Chemical Mechanical Planarization,也称化学机械抛光)，所述CMP使用喷布在抛光垫上的研磨液，以便有助于使晶圆平滑化和以可预知的方式平面化。研磨液的平面化属性一般由研磨摩擦组分和化学反应组分构成。研磨摩擦组分源于悬浮在研磨液中的研磨颗粒。所述研磨颗粒在与晶圆表面作摩擦接触时会增加抛光垫的研磨特性。化学反应组分与所述晶圆表面本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种化学机械研磨方法，用于提高固定颗粒研磨垫的研磨效果，包括：利用固定颗粒研磨垫研磨去除晶圆上的第一待研磨层；检测所述晶圆的研磨效果，选出具有研磨残留的晶圆；在所述具有研磨残留的晶圆上覆盖第二待研磨层，所述第二待研磨层的材质与所述第一待研磨层的材质相同；利用所述固定颗粒研磨垫研磨去除所述第二待研磨层及所述研磨残留。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：邵群，王庆玲，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：