半导体衬底的表面处理方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体衬底的表面处理方法以及半导体衬底的制作方法。所述半导体衬底的表面处理方法包括如下步骤：提供一半导体衬底；研磨减薄所述半导体衬底的一表面；采用氧化物抛光浆料抛光所述半导体衬底的被研磨减薄的表面；采用半导体衬底抛光浆料抛光所述半导体衬底的被研磨减薄的表面。本发明专利技术的优点在于，研磨工艺会在半导体衬底的表面形成一层自然氧化层，本发明专利技术采用了能够腐蚀半导体衬底的自然氧化层的氧化物抛光浆料对半导体衬底实施抛光，保证在对半导体衬底表面化学机械抛光之前，半导体衬底的表面是绝对无任何多余物质的，避免不同物质的机械强度不同对研磨造成影响。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体材料领域，尤其涉及一种以及半导体衬底的制作方法。
技术介绍
体硅以及SOI材料合称为硅基材料，是微电子的基础材料，被广泛应用到集成电 路的各个领域。以SOI材料为例，按其顶层硅薄层的厚度，可分为薄膜SOI (顶层硅通常小于IMffl)和厚膜SOI (顶层硅通常大于IMffl)两大类。薄膜SOI市场95%的应用集中在8英寸和12英寸，其中绝大多数用户为尖端微电子技术的引导者，如IBM、AMD、Motorola、Intel、UMC、TSMC、OKI等。目前供应商为日本信越(SHO、法国Soitec、日本SUMC0，其中前两家供应了约90%以上的产品。薄膜SOI市场主要的驱动力来自于高速、低功耗产品，特别是微处理器(CPU)应用。这些产品的技术含量高，附加值大，是整个集成电路的龙头。很多对SOI的报道均集中在以上这些激动人心的尖端应用上，而实际上SOI早期的应用集中在航空航天和军事领域，现在拓展到功率和灵巧器件以及MEMS应用。特别是在汽车电子、显示、无线通讯等方面发展迅速。由于电源的控制与转换、汽车电子以及消费性功率器件方面对恶劣环境、高温、大电流、高功耗方面的要求本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体衬底的表面处理方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一半导体衬底；研磨减薄所述半导体衬底的一表面；采用氧化物抛光浆料抛光所述半导体衬底的被研磨减薄的表面；采用半导体衬底抛光浆料抛光所述半导体衬底的被研磨减薄的表面。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：魏星，曹共柏，张峰，张苗，王曦，
申请(专利权)人：上海新傲科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：