一种具有超大离子束发散角的离子源制造技术

本实用新型专利技术涉及一种用在光学真空镀膜机（离子束辅助沉积设备）或离子束溅射及刻蚀设备中的离子源，特别涉及一种具有超大离子束发散角的离子源。其技术方案是：包括气体放电室，气体放电室的一端设置有绝缘端盖，绝缘端盖外部设置有聚焦磁场产生单元和磁场扫描单元。本实用新型专利技术通过一组正交的磁场，对引入磁场中的离子束方向进行控制，通过设定X、Y方向电磁线圈的电压变化规律，可以实现离子束的空间扫描。调节电磁线圈的电流大小，就可以实现离子束的空间发散角控制。与现有技术相比，本实用新型专利技术的优点是：1.离子源输出的离子束发散角可达180°；2.离子束发散角可以根据实际需要进行调节，可满足不同薄膜沉积过程的需要；3.离子束流密度的均匀性好。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及光学真空镀膜机(离子束辅助沉积设备)、离子束溅射或离子束刻蚀设备中的离子束发射源
，特别涉及一种具有超大离子束发散角的离子源。
技术介绍
在光学薄膜领域，离子束辅助沉积(IBAD)是一种将薄膜沉 积与离子轰击融为一体的光学表面镀膜技术，通常是在高真空中利用荷能离子轰击正在沉积的薄膜，从而获得具有特殊效果的膜层。离子束辅助沉积工艺的主要过程是在镀膜前先用一定能量的离子束轰击基底，以净化表面，使表面污染的碳氢化合物分解除去，同时使基底温度升高，提供表面活化以利于薄膜成核。在镀膜过程中，再用适当的荷能离子轰击正在生长的薄膜，从而改变成膜环境。此时，由于外来离子对凝聚中粒子的动量传递，使得膜料粒子在基底表面的迁移率增加，并因此影响粒子的凝结及薄膜生长速率，从而可使薄膜的堆积密度接近于1，大幅度提高了膜层与基底的附着力。除此之外，离子束刻蚀与溅射也是两种重要的技术。离子束刻蚀(或离子束减薄)可以实现样品或零件表面原子级去除、不仅用在化学试样表面分析，光学表面无损伤加工，还用于刻蚀靶材表面，实现溅射沉积。在这些应用过程中，离子源是离子束辅助沉积和离子束刻蚀、溅射沉积的核心部件。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有超大离子束发散角的离子源，包括气体放电室（10），气体放电室（10）的一端设置有绝缘端盖（9），绝缘端盖（9）的中部设置有离子束出孔，其特征在于：绝缘端盖（9）外部设置有聚焦磁场产生单元（1）和磁场扫描单元，聚焦磁场产生单元（1）的中部设置有离子束过孔；所述磁场扫描单元包括从下向上依次设置的下盖板（3）、中盖板（5）及上盖板（7），所述下盖板（3）与中盖板（5）之间设置有一对横向磁极（4），横向磁极（4）的磁极两端分别连接横向电磁线圈（8）；所述中盖板（5）与上盖板（7）之间设置有一对纵向磁极（6）、纵向磁极（6）的两端分别连接纵向电磁线圈（11），所述聚焦磁场产生单元（1）和磁场扫描...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：徐均琪，苏俊宏，惠迎雪，杭凌侠，弥谦，严一心，
申请(专利权)人：西安工业大学，
类型：实用新型
国别省市：