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本实用新型涉及一种用在光学真空镀膜机（离子束辅助沉积设备）或离子束溅射及刻蚀设备中的离子源，特别涉及一种具有超大离子束发散角的离子源。其技术方案是：包括气体放电室，气体放电室的一端设置有绝缘端盖，绝缘端盖外部设置有聚焦磁场产生单元和磁场扫描...
该专利属于西安工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安工业大学授权不得商用。

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