薄膜晶体管基板及其制造方法技术

各TFT（5a）包括：设置在基板（10）的栅极电极（11a）；以覆盖栅极电极（11a）的方式设置的栅极绝缘膜（12）；在栅极绝缘膜（12）上以与栅极电极（11a）重叠的方式设置有沟道区域（C）的、包括氧化物半导体的半导体层（13a）；和在半导体层（13a）上以隔着沟道区域（C）相互分离的方式设置的源极电极（15aa）和漏极电极（15b），各辅助电容（6a）包括：与栅极电极（11a）在相同层利用相同材料设置的电容线（11b）；以覆盖电容线（11b）的方式设置的栅极绝缘膜（12）；以在栅极绝缘膜（12）上与电容线（11b）重叠的方式使用氧化物半导体设置的电容中间层（13c）；和在电容中间层（13c）上设置的电容电极（15b），电容中间层（13c）具有导电性。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及，特别涉及具备辅助电容的。
技术介绍
有源矩阵驱动方式的液晶显示面板包括按作为图像的最小单位的每个像素设置有薄膜晶体管(Thin Film Transistor,以下，还称为“TFT”)作为开关元件的TFT基板；以与TFT基板相对的方式配置的对置基板；和被封入在两基板之间的液晶层。在该TFT基板，为了稳定地保持被充电至各像素的液晶层、即液晶电容的电荷，而按每个像素设置有辅助电容。例如，在专利文献I中，公开有使用四个掩模制造形成有(相当于上述辅助电容的)维持蓄电器的TFT基板的方法，该维持蓄电器包括包括非晶硅等半导体的半导体图案；包 括高浓度地掺杂有磷等η型杂质的非晶硅等的接触层图案；和包括Mo或MoW合金、Cr、Al或Al合金、Ta等导电物质的维持蓄电器用导电图案依次叠层而得到的叠层图案；以位于叠层图案的下方的方式设置、包括Mo或MoW合金、Cr、Al或Al合金、Ta等导电物质的维持电极；和设置在叠层图案与维持电极之间的栅极绝缘膜。现有技术文献专利文献专利文献I :日本专利第3756363号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的问题但是，在如专利文献I中公开的那样具备辅助本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：山下彻也，吉田德生，近间义雅，太田纯史，水野裕二，铃木正彦，中川兴史，春本祥征，宫本惠信，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：
国别省市：