【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种石英晶片的加工装置,具体地说是一种选择性腐蚀石英晶片的装置。
技术介绍
现有石英晶片制造过程中的腐蚀工序是晶片制造过程中的最后工序。腐蚀的作用是将晶片因研磨来的破坏层去掉,降低石英晶体谐振器的等效串联阻抗,所以腐蚀掉的厚度一般仅有几微米,腐蚀时间短,整个晶片表面都要腐蚀到,因此只需将晶片放入网篮中摇摆以保证晶片充分散开。而在深腐蚀工艺中,腐蚀的作用相当于研磨,腐蚀的厚度根据目标频率的不同至少需几十微米,且需要腐蚀的是晶片的震荡部分,为选择性腐蚀。选择性腐蚀主要采用曝光掩膜法。即先在晶体方片表面涂覆感光材料,然后将需曝光的图形夹持在晶体方片两面,经曝光后使得需要腐蚀的部分暴露出来,再将晶体方片整体放入腐蚀液中腐蚀。待腐蚀完成后,去除掉保护层。这种方法的优点是腐蚀深度可控,缺点是工序非常复杂,加工成本高。
技术实现思路
本专利技术的目的是针对现有技术的不足,提供一种选择性腐蚀石英晶片的装置,用该装置深腐蚀晶体方片,不仅可以获得高频率晶体器件,而且工序简单,可以降低加工成本。本专利技术采用了以下技术方案包括由耐腐蚀材料制成的上、下夹板,上夹板下端面与下夹板上端面上有相互配合的平面区域,下夹板上端面的平面区域开有数个与晶体方片形成配合的模腔,上、下夹板上分别开有与晶体方片上、下端待腐蚀区域相通的腐蚀孔,腐蚀孔的形状与晶体方片待腐蚀区域形状相同。加工时,将晶体方片放入下夹板的模腔中,将上夹板盖在下夹板上并用夹具夹紧,再将其放入腐蚀液中,腐蚀液通过腐蚀孔对晶体方片上、下表面的腐蚀孔暴露区域进行腐蚀,选择合适的腐蚀时间即可获得相应频率的晶体器件。为了防止腐蚀液由 ...
【技术保护点】
选择性腐蚀石英晶片的装置,其特征是:包括由耐腐蚀材料制成的上、下夹板(1、2),上夹板(1)下端面与下夹板(2)上端面上有相互配合的平面区域,下夹板(2)上端面的平面区域开有数个与晶体方片形成配合的模腔,上、下夹板(1、2)上分别开有与晶体方片上、下端待腐蚀区域相通的腐蚀孔(11、21),腐蚀孔(11、21)的形状与晶体方片待腐蚀区域形状相同。
【技术特征摘要】
1.选择性腐蚀石英晶片的装置,其特征是包括由耐腐蚀材料制成的上、下夹板(I、2),上夹板(I)下端面与下夹板(2)上端面上有相互配合的平面区域,下夹板(2)上端面的平面区域开有数个与晶体方片形成配合的模腔,上、下夹板(1、2)上分别开有与晶体方片上、下端待腐蚀区域相通的腐蚀孔(11、21),腐蚀孔(11、21)的形状与晶体方片待腐蚀区域形状相同。2.根据权利要求I所述的选择性腐蚀石英晶片的装置,其特征是上、...
【专利技术属性】
技术研发人员:唐劲,张帮岭,
申请(专利权)人:铜陵晶越电子有限公司,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。