基于半导体的超材料制备方法和基于半导体的超材料技术

本发明专利技术提供了一种基于半导体的超材料制备方法，该方法包括：在衬底上形成半导体层；根据预设电磁参数，在所述半导体层中掺入杂质；在所述半导体层上涂覆一层光刻胶；以具有预设微结构阵列的模板作为掩膜板对所述光刻胶进行光刻；将光刻胶上光刻后形成的图形转移到所述半导体层上；去除涂覆在所述半导体层上的光刻胶，获得超材料。本发明专利技术实施例还提供了一种基于半导体的超材料。以得到微结构可控性能更高、也更符合设计要求的超材料。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及复合材料
，尤其涉及一种基于半导体的超材料制备方法和基于半导体的超材料。
技术介绍
随着雷达探测、卫星通讯、航空航天等高新技术的快速发展，以及抗电磁干扰、隐形技术、微波暗室等研究领域的兴起，微波吸收材料的研究越来越受到人们的重视。由于超材料能够出现非常奇妙的电磁效应，可用于吸波材料和隐形材料等领域，成为吸波材料领域研究的热点。超材料的性质和功能主要来自于其内部的结构，如何制备具有周期性排列的三维精细结构成为超材料制备技术的关键。CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor,互补金属氧化物)工艺是当今半导体工艺中能实现可控的最小尺寸的工艺，现在32nm的工艺逐渐成熟,更小尺寸的工 艺正在开发。因此，有效的利用CMOS工艺中的尺寸控制手段，能够制造极小尺寸的微结构，利用不同性质的材料的特殊微结构便能制造出用于特殊性质的超材料。半导体是CMOS工艺中使用很广泛的一种材料，但是现有技术中还没有基于半导体的超材料制备技术。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种基于半导体的超材料制备方法和基于半导体的超材料，能够得到电磁参数本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于半导体的超材料制备方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底上形成半导体层；根据预设电磁参数，在所述半导体层中掺入杂质；在所述半导体层上涂覆一层光刻胶；以具有预设微结构阵列的模板作为掩膜板对所述光刻胶进行光刻；将光刻胶上光刻后形成的图形转移到所述半导体层上；去除涂覆在所述半导体层上的光刻胶，获得超材料。

【技术特征摘要】
1.一种基于半导体的超材料制备方法，其特征在于，所述方法包括 在衬底上形成半导体层； 根据预设电磁参数，在所述半导体层中掺入杂质； 在所述半导体层上涂覆一层光刻胶； 以具有预设微结构阵列的模板作为掩膜板对所述光刻胶进行光刻； 将光刻胶上光刻后形成的图形转移到所述半导体层上； 去除涂覆在所述半导体层上的光刻胶，获得超材料。2.根据权利要求I所述的方法，其特征在于，在衬底上形成半导体层，具体包括 在衬底上蒸镀一层半导体。3.根据权利要求I所述的方法，其特征在于，在衬底上形成半导体层，具体包括 在衬底上用粘合剂压合一层半导体。4.根据权利要求I所述的方法，其特征在于，根据预设电磁参数，在具有微结构的半导体层中掺入杂质，具体包括 根据预设电磁参数，采用热扩散技术在所述半导体层中掺入杂质。5.根据权利要求I所述的方法，其特征在于，根据预设电磁参数，...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘若鹏，赵治亚，
申请(专利权)人：深圳光启高等理工研究院，深圳光启创新技术有限公司，
类型：发明
国别省市：