一种基于CMOS工艺的超材料制备方法和超材料技术

本发明专利技术实施例提供了一种基于CMOS工艺的超材料制备方法，该方法包括：在第一电介质层上形成第一金属层；在第一金属层上制作微结构；在具有微结构的第一金属层上形成第二电介质层；在第二电介质层上制作通孔；在具有通孔的第二电介质层上形成第二金属层；在第二金属层上制作微结构；在具有微结构的第二金属层上形成第三电介质层，获得超材料。本发明专利技术实施例还提供了一种超材料。以得到微结构可控性能更高、也更符合设计要求的超材料。以实现具有更丰富电磁特性的超材料。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及超材料
，尤其涉及一种基于CMOS工艺的超材料制备方法和超材料。
技术介绍
随着雷达探测、卫星通讯、航空航天等高新技术的快速发展，以及抗电磁干扰、隐形技术、微波暗室等研究领域的兴起，微波吸收材料的研究越来越受到人们的重视。由于超材料能够出现非常奇妙的电磁效应，可用于吸波材料和隐形材料等领域，成为吸波材料领域研究的热点。超材料的性质和功能主要来自于其内部的结构，如何制备具有周期性排列的三维精细结构成为超材料制备技术的关键。CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor,互补金属氧化物)工艺是当今半导体工艺中能实现可控的最小尺寸的工艺，现在32nm的工艺逐渐成熟,更小尺寸的工艺正在开发。同时，CMOS工艺中金属层的使用数量也在不断的增加，现在已经能够实现8层的金属连线。但是CMOS工艺仍未应用于超材料的制备过程中。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种基于CMOS工艺的超材料制备方法和超材料，能够得到微结构可控性能更高、也更符合设计要求的超材料。为解决上述技术问题，本专利技术实施例提供了一种基于CMOS工艺的超本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于CMOS工艺的超材料制备方法，其特征在于，所述方法包括：在第一电介质层上形成第一金属层；在所述第一金属层上制作微结构；在具有微结构的第一金属层上形成第二电介质层；在所述第二电介质层上制作通孔；在具有通孔的第二电介质层上形成第二金属层；在所述第二金属层上制作微结构；在具有微结构的第二金属层上形成第三电介质层，获得超材料。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘若鹏，杨宗荣，赵治亚，缪锡根，
申请(专利权)人：深圳光启高等理工研究院，深圳光启创新技术有限公司，
类型：发明
国别省市：