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本发明实施例提供了一种基于CMOS工艺的超材料制备方法，该方法包括：在第一电介质层上形成第一金属层；在第一金属层上制作微结构；在具有微结构的第一金属层上形成第二电介质层；在第二电介质层上制作通孔；在具有通孔的第二电介质层上形成第二金属层；在...该专利属于深圳光启高等理工研究院;深圳光启创新技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳光启高等理工研究院;深圳光启创新技术有限公司授权不得商用。