【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于晶体硅太阳能电池制绒设备
，具体涉及一种晶体硅太阳能电池RIE制绒装置。
技术介绍
太阳能作为一种绿色能源，以其取之不竭、无污染、不受地域资源限制等优点越来越受到人们的重视。在太阳电池的研制历程中曾使用过各种半导体，硅是其中最重要的一种。按丰度排列.硅是地球上第二大元素。硅是单元素半导体，无毒，废弃硅对环境没有污染。因此硅至今仍是太阳电池的最佳选用材料。在太阳能电池的制造工艺流程中，RIE制绒逐渐成为降低晶体硅表面反射率，提高陷光效果的重要方法，尤其是在多晶硅方面，大大的减少了硅的表面反射率，提高了电池的 转化效率。但是，在后续电池可靠性方面，电池主栅的焊接拉力也随着降低。这样，在一定程度上增加组件的串联电阻，降低组件效率和功率，在后期的组件稳定性留下了隐患。
技术实现思路
本专利技术的目的是针对上述存在的问题而提供的一种晶体硅太阳能电池RIE制绒装置，该装置可控性好，灵活性高，适用于晶体硅太阳能电池的工业化生产。本专利技术的一种晶体硅太阳能电池RIE制绒装置采用的技术方案为包括反应室、气体管道、喷淋装置和反应离子挡板，其中，喷淋装置位于反应室的顶部，反...
【技术保护点】
一种晶体硅太阳能电池RIE制绒装置，包括反应室、气体管道、喷淋装置，其特征在于，喷淋装置位于反应室的顶部，反应气体通过气体管道由喷淋装置进入反应室，气体管道上设置有流量控制器，反应室中还设有反应离子挡板，置于需制绒硅片的正面上方。
【技术特征摘要】
1.一种晶体硅太阳能电池RIE制绒装置，包括反应室、气体管道、喷淋装置，其特征在于，喷淋装置位于反应室的顶部，反应气体通过气体管道由喷淋装置进入反应室，气体管道上设置有流量控制器，反应室中还设有反应离子挡板，置于需制绒硅片的正面上方。2.根据权利要求I所述的晶体硅太阳能电池RIE制绒装置，其特征在于反应离子挡板位于娃片正面上方0-100cm。3.根据权利要求2所述的晶体硅太阳能电池RIE制绒装置，其特征在于反应离子挡板位于娃片正面上方O. Ol-IOcnio4.根据权利要求I所述的晶体硅太阳能电池RIE制绒装置，其特征在于反应离子挡板位于硅片正面电池主栅区域正上方，形状与电池主栅区域的形状一致。5.根据权利要求4所述的晶体硅太阳能电池RIE制绒装...
【专利技术属性】
技术研发人员：李秉霖，姜言森，任现坤，张春艳，程亮，贾河顺，马继磊，孙继峰，
申请(专利权)人：山东力诺太阳能电力股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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