【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及抗电磁干扰材料领域，尤其涉及一种NFC设备用薄膜材料及其制备方法与应用。
技术介绍
近年来，随着射频识别技术的不断发展，近场通信(近场通信的英文全称是NearField Communication,通常简写为NFC)技术成为异军突起的新兴热门技术。近场通信技术(即NFC技术)又称为近距离无线通信技术，是一种短距离的非接触式识别与互联技术，允许电子设备之间进行非接触式点对点数据传输，其使用距离小于或等于O. I米，主要应用在数码相机、电脑、手机、PDA等电子设备上。由于NFC技术比传统的射频识别技术增加了数据双向传送功能，能够实现的相互认证、动态加密和一次性钥匙，因此NFC技术具有天然 的高安全性。正是因为NFC技术具有高安全性的保证，所以应用了 NFC技术的电子设备(通常简称为NFC设备)被广泛应用在移动支付、电子票证、智能媒体以及交换和传输数据等领域。目前,最为常见的NFC设备当属NFC手机，因此本申请文件中以NFC手机为例进行说明，但这并不构成对本申请的限制。NFC手机通过内置NFC芯片(NFC芯片是一种采用了NFC技术的电子元件)来实现NFC功能；N...
【技术保护点】
一种NFC设备用薄膜材料，其特征在于，以聚对苯二甲酸类PET塑料膜和片形铁硅基合金粉体为基材复合而成；所述片形铁硅基合金粉体涂覆于PET塑料膜的表面，并且片形铁硅基合金粉体平行于PET塑料膜的表面。
【技术特征摘要】
1.一种NFC设备用薄膜材料，其特征在于，以聚对苯二甲酸类PET塑料膜和片形铁硅基合金粉体为基材复合而成； 所述片形铁硅基合金粉体涂覆于PET塑料膜的表面，并且片形铁硅基合金粉体平行于PET塑料膜的表面。2.根据权利要求I所述的NFC设备用薄膜材料，其特征在于，所述的片形铁硅基合金粉体为铁娃招片形粉体、铁娃络片形粉体或铁娃招络片形粉体中的至少一种； 所述铁硅铝片形粉体满足以下条件粉体长轴方向尺寸为20 200μπι，粉体厚度<2 μ m，粉体径厚比彡150，粉体矫顽力He ( 80e ； 所述铁硅铬片形粉体满足以下条件粉体长轴方向尺寸为20 150μπι，粉体厚度<2 μ m，粉体径厚比彡150，粉体矫顽力He ( I. 50e ； 所述铁硅铝铬片形粉体满足以下条件粉体长轴方向尺寸为20 200 μ m，粉体厚度彡2μπι，粉体径厚比彡150，粉体矫顽力He ( 7. 80e。3.根据权利要求2所述的NFC设备用薄膜材料，其特征在于， 所述的铁娃招片形粉体由75 90重量份的铁、5 15重量份的娃、5 10重量份的铝以及O I重量份的杂质组成； 所述的铁娃铬片形粉体由80 90重量份的铁、5 15重量份的娃、I 5重量份的铬以及O I重量份的杂质组成； 所述的铁娃招铬片形粉体由60 85重量份的铁、5 15重量份的娃、5 10重量份的招、I 5重量份的铬以及O I重量份的杂质组成； 其中，所述的杂质为镁、镍、钴、锑、锰中的至少一种。4.根据权利要求I至3中任一项所述的NFC设备用薄膜材料，其特征在于，该薄膜材料的厚度为O. 05 I. Omm ;其中，PET塑料膜的厚度为O. 005 O. lmm, PET塑料膜的拉伸强度大于5MPa。5.一种NFC设备用薄膜材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤 步骤A :制备片形铁娃基合金粉体；所述的片形铁娃基合金粉体为铁娃招片形粉体、铁硅铬片形粉体或铁硅铝铬片形粉体中的至少一种； 所述铁硅铝片形粉体满足以下条件粉体长轴方向尺寸为20 200 μ m，粉体厚度<2 μ m，粉体径厚比彡150，粉体矫顽力He ( 80e ； 所述铁硅铬片形粉体满足以下条件粉体长轴方向尺寸为20 150 μ m，粉体厚度<2 μ m，粉体径厚比彡150，粉体矫顽力He ( I. 50e ； 所述铁硅铝铬片形粉体满足以下条件粉体长轴方向尺寸为20 200μπι，粉体厚度彡2 μ m，粉体径厚比彡150，粉体矫顽力He ( 7. 80e ； 步骤B :将步骤A得到的...
【专利技术属性】
技术研发人员：陶振声，范学伟，高磊，邹科，迟百强，吕宝顺，廖有良，连江滨，王倩，
申请(专利权)人：北矿磁材科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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