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一种大尺寸石墨烯的无损转移方法技术

技术编号:8266484 阅读:299 留言:0更新日期:2013-01-30 21:29
本发明专利技术是一种大尺寸石墨烯的无损转移方法,针对CVD生长大尺寸石墨烯难以无损转移的问题,采用在石墨烯表层旋涂有机溶剂涂层、烘干有机涂层、腐蚀溶剂溶解铜箔基体,将石墨烯转移到目标基体上,再去除有机溶剂包覆层的方法,精确控制各过程工艺参数,实现大尺度石墨烯的无损高效转移。该方法包括以下步骤:A.大尺寸石墨烯的旋涂;B.铜箔基体的腐蚀去除;C.石墨烯薄膜的漂洗及转移烘干;D.PMMA的去除;从而得到转移到玻璃片上的无损大尺寸石墨烯。采用本发明专利技术方法,可以简单、高效、稳定地将大尺寸石墨烯完整地转移到目标基体上,为石墨烯在触摸屏等光电子器件上的应用铺平道路。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于材料科学
,是一种简单、高效的大尺寸石墨烯无损转移技术。
技术介绍
石墨烯由于其优异的导电性、透光性、传热性和力学性能而在电子、光学等众多领域展示了巨大的潜在应用价值。化学气相沉积法(CVD)由于成分和环境的可控性已成为制备高质量大尺寸石墨烯和实现其产业化应用的最有效方法,该方法分为石墨烯的制备和转移两个过程,前者已趋于成熟,而后再如何将生长在铜箔基体上的石墨烯尤其是大尺度石墨烯无损转移到目标基体上仍是一个巨大的挑战,是能否实现石墨烯产业化应用的关键。本专利技术将提供一种有效的大尺度石墨烯的无损转移技术。
技术实现思路
技术问题本专利技术针对CVD生长大尺寸石墨烯难以无损转移的问题,采用在石墨 烯表层旋涂有机溶剂涂层、烘干有机涂层、腐蚀溶剂溶解铜箔基体,将石墨烯转移到目标基体上,再去除有机溶剂包覆层的方法,精确控制各过程工艺参数,实现大尺度石墨烯的无损高效转移。技术方案本专利技术提供一种简单、高效的大尺寸石墨烯无损转移技术,主要包括以下工艺步骤A.大尺寸石墨烯的旋涂将生长有石墨烯薄膜的5cmX5cm 15cmX 15cm金属铜箔放在匀胶机上,在生长有石墨烯的铜箔上表本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种大尺寸石墨烯的无损转移方法,其特征在于该方法包括以下步骤:A.大尺寸石墨烯的旋涂:将生长有石墨烯薄膜的5cm×5cm~15cm×15cm金属铜箔放在匀胶机上,在生长有石墨烯的铜箔上表面滴涂聚甲基丙烯酸甲酯PMMA有机溶剂涂层,启动匀胶机,使PMMA均匀包覆铜箔,再将铜箔放在加热台上,烘干PMMA溶剂;B.铜箔基体的腐蚀去除:将上述旋涂有PMMA溶剂的铜箔放入铜的腐蚀液中腐蚀,去除铜箔基体;C.石墨烯薄膜的漂洗及转移烘干:用玻璃基板将石墨烯薄膜捞起放入装有去离子水的烧杯中漂洗,再用玻璃基板捞起漂浮于去离子水中的大尺寸石墨烯,将转移有石墨烯的玻璃片放在加热台上烘干,去除石墨烯与玻璃片界面之间的...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:郭新立汤铨刘建双
申请(专利权)人:东南大学
类型:发明
国别省市:

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