一种石墨坩埚的制备方法技术

技术编号:8266483 阅读:196 留言:0更新日期:2013-01-30 21:29
本发明专利技术公开了一种石墨坩埚的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:a、在容器中加入重量百分含量为40-50%的天然石墨、重量百分含量为9-15%金属硅、重量百分含量为30-40%的石油焦颗粒,搅拌,再向容器中加入重量百分含量为8-15%的酚醛树脂;b、继续搅拌,采用压力成型机成型;c、将成型后的坩埚生坯焙烧,控制焙烧时间为10-20h,得焙烧品坩埚;d、将焙烧品坩埚干燥20-40h,控制干燥温度为100-200℃;e、采用CVD方法在步骤d的焙烧品坩埚表面制备SIC内层,并对SIC内层进行致密化。本发明专利技术的优点是:本发明专利技术工艺条件简单、条件易于实现,采用本发明专利技术方法制造的石墨坩埚、产品合格率高、资源浪费率低,节能效果显著。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及。
技术介绍
石墨坩埚因其良好的耐导性和耐高温性,使其在冶金、铸造、机械、化工等工业部门得到了广泛的应用。现有的石墨坩埚的制备方法存在着工序复杂、占地面积大、消耗能源多、合格率低、生产周期长的缺点,不能满足使用需求。因此,应该提供一种新的技术方案解决上述问题。
技术实现思路
本专利技术的目的是针对上述不足,提供一种变形小、合格率高、资源消耗低的石墨 坩埚的制备方法。为实现上述目的,本专利技术采用的技术方案是,其特征在于,包括如下步骤 a、在容器中加入重量百分含量为40-50%的天然石墨、重量百分含量为9-15%金属娃、重量百分含量为30-40%的石油焦颗粒,搅拌,控制搅拌速度为1000-1500r/min,再向容器中加入重量百分含量为8-15%的酚醛树脂; b、继续搅拌,控制搅拌时间为20-30min,采用压力成型机成型; C、将成型后的坩埚生坯放入坩埚焚烧炉中进行焙烧,控制焙烧时间为10-20h,焙烧温度为200-300°C,得焙烧品坩埚; d、将焙烧品坩埚干燥20-40h,控制干燥温度为100-200°C;e、采用CVD方法在步骤d的焙烧品坩埚表面制备SIC内本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种石墨坩埚的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:a、在容器中加入重量百分含量为40?50%的天然石墨、重量百分含量为9?15%金属硅、重量百分含量为30?40%的石油焦颗粒,搅拌,控制搅拌速度为1000?1500r/min,再向容器中加入重量百分含量为8?15%的酚醛树脂;b、继续搅拌,控制搅拌时间为20?30min,采用压力成型机成型;c、将成型后的坩埚生坯放入坩埚焚烧炉中进行焙烧,控制焙烧时间为10?20h,焙烧温度为200?300℃,得焙烧品坩埚;d、将焙烧品坩埚干燥20?40h,控制干燥温度为100?200℃;e、采用CVD方法在步骤d的焙烧品坩埚表面制备SIC内层,并对SIC内层进...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:周小兵
申请(专利权)人:海门市海菱碳业有限公司
类型:发明
国别省市:

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