【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及。
技术介绍
2004年Andre Geim课题组首次在国际上报导了电场对石墨烯的载流子浓度调制作用，论证了石墨烯场效应晶体管的可行性；2010年这篇文章的通讯作者Andre Geim和第一作者Konstatin Novoselov共同获得了诺贝尔物理学奖。石墨烯中的载流子运输服从狄拉克方程，它独特的线性能带结构决定了它一系列奇特的光电性能，比如最小电导率、室温量子霍尔效应、Klein遂穿、普遍的光电导和非线性电磁响应等。石墨烯具有一系列的重要应用，比如导电墨水、太赫兹晶体管、超快光电探测器、柔性触摸屏、气体传感器、透明导电薄膜、高容量电池、太阳能电池、发光二极管等。石墨稀器件走向应用的关键是大面积、闻质量的石墨稀制备技术，对于大面积单晶石墨烯的获得，目前人们主要是通过控制CVD制备过程中的各种参数来对其进行调节，如延长生长时间，减小甲烷流量等来获得大面积单晶石墨烯，所获得的石墨烯的由于晶界的影响存在性能优化问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种低温大面积单晶石墨烯的制备方法。本专利技术的单晶石墨烯的制备方法，包括如下步骤: 1)使用微...
【技术保护点】
一种单晶石墨烯的制备方法，其特征在于该方法包括如下步骤：1）使用微机械力方法，将石墨用胶带撕裂出单晶石墨烯黏贴到面积在1cm2以上的基板上，作为单晶石墨烯籽晶层；2）在单晶石墨烯籽晶层上镀一层厚度在20纳米到10微米的金属Ni、Cu或Cu?Ni合金层；3）在金属Ni、Cu或Cu?Ni合金层上覆盖碳源，放入退火炉加热至200?400℃，炉内压力维持在1.01×105Pa，在氩气、氮气、氦气或氖气气氛下，退火100秒～1小时，冷却至室温，然后浸入FeCl3溶液中，腐蚀去除金属层和碳源，得到面积在1cm2以上的生长在基板上的单晶石墨烯。
【技术特征摘要】
1.一种单晶石墨烯的制备方法，其特征在于该方法包括如下步骤: 1)使用微机械力方法，将石墨用胶带撕裂出单晶石墨烯黏贴到面积在Icm2以上的基板上，作为单晶石墨烯籽晶层； 2)在单晶石墨烯籽晶层上镀一层厚度在20纳米到10微米的金属N1、Cu或Cu-Ni合金层； 3)在金属N1、Cu或Cu-Ni合金层上覆盖碳源，放入退火炉加热至200-400°C，炉内压力维持在1.01 X IO5P...
【专利技术属性】
技术研发人员：林时胜，李晓强，
申请(专利权)人：杭州格蓝丰纳米科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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