【技术实现步骤摘要】
本技术涉及对开关元件的栅极进行驱动的栅极驱动电路。
技术介绍
由于GaN设备具有远远超过现有的Si设备的潜力，因此一直期望其实际应用。GaN设备虽然与现有的Si设备同样相当于电压驱动型设备，但是具有在主电极之间不具有体二极管等与Si设备不同的特征。此处，图9示出在现有技术中公开的电路图。根据现有技术，通过使电压驱动型的 Si设备的栅极在开关断开期间反向偏置，能够改善开关特性、减少开关损失。专利文献I2010-161496号公报但是，在GaN设备中，在设备的构造上与Si设备不同，在漏极/源极之间不存在体二极管。作为代替，在漏极/源极之间具有依赖于被反向偏置的电压的逆电流/电压特性。图8(a)，图8(b)分别示出常关型GaN设备的等价电路图和代表特性图。如图8(a)所示，GaNFET的栅极/源极之间是作为顺向电压高的二极管来表现到等价电路上，在漏极/源极之间不存在体二极管。另外，在图8(b)的第3象限示出漏极电流的逆电流/电压特性。因此，当应用现有技术时，在基于电感负荷等的再生工作中会产生很大的损失，成为问题。另外，为了解决该问题，当与GaNFET的漏极/源极之间并...
【技术保护点】
一种栅极驱动电路，其对具有漏极、源极和栅极且由宽带隙半导体构成的开关元件的栅极施加来自控制电路的控制信号，从而对所述开关元件进行接通断开驱动，该栅极驱动电路的特征在于，在所述控制电路与所述开关元件的栅极之间连接有由第1电容器、第1电阻和第1二极管构成的串联电路，在所述第1二极管的阳极与阴极之间并联连接有第1PNP型晶体管的基极和发射极，所述第1PNP型晶体管的发射极和集电极通过与集电极侧连接的第2电阻连接在所述开关元件的栅极与源极之间，在所述第1PNP型晶体管的基极与集电极之间连接有第2二极管的阴极和阳极，所述第2二极管的顺向电压比所述第1PNP型晶体管的接合电压低。
【技术特征摘要】
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