一种IGBT驱动电路制造技术

技术编号：8192246 阅读：208 留言：0更新日期：2013-01-10 02:50

一种IGBT驱动电路，其驱动输入电源（V2）连接到智能驱动芯片（U1）的输入电源端口（Vc），同时驱动输入电源（V2）也作为稳压源（V1）的输入电源。稳压源（V1）的输出电压经过由电阻（R3）和稳压管（D2）串联组成的分压电路进行分压。第一电容（C2）与电阻（R3）并联，第二电容（C3）与稳压管（D2）并联。第一电容（C2）的正极与充电电阻（R4）的一端相连，充电电阻（R4）的另一端与NPN三极管（Q1）的集电极相连；NPN三极管（Q1）的发射极和PNP三极管（Q2）的发射极相连后与IGBT的栅极（G）相连；PNP三极管（Q2）的集电极与放电电阻（R5）的一端相连，放电电阻（R5）的另一端与第二电容（C3）的负极相连。

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【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种IGBT驱动电路。
技术介绍
随着电动汽车，太阳能发电，风力发电等新能源产业的快速发展，绝缘栅双极型晶体管IGBT作为其变换的核心元件扮演着重要的角色，而大功率IGBT可靠工作的前提必须具备高性能的IGBT驱动电路，满足IGBT的开通瞬间充放电的电流大，开通速度快，IGBT的损耗小的特点。目前常用的驱动电路如图I所示。其中Ul为驱动芯片，如HCPL-316J或 ACPL-38JT，HCPL-312J等，实现弱电控制信号与推挽电路的连接，其中驱动芯片的输出为Vout，外接由NPN三极管Ql和PNP三极管Q2组成的推挽电路。NPN三极管的发射极与PNP三极管的发射极连接为一点，并与电阻R7连接，其中R7即作为充电电阻也作为放电电阻使用。电路中的驱动供电电源V2直接给驱动芯片和后级推挽电路供电。当有PWM输入时，理论上IGBT驱动的正幅值电压为vdc3负幅值电压为Vdc4，然而实际运用中发现驱动推挽电路输出的正幅值小于Vdc3，同时驱动电流远小于理论计算值。
技术实现思路
本专利技术的目的是克服目前常用的IGBT驱动电路中出现的输出驱动电压幅值略小于理论计算值，NPN三极管的导通压降较大，驱动电流过小的问题。本专利技术提出一种新的IGBT驱动电路，通过增加一个稳压源电路，配合现有的推挽驱动电路，可以实现增大IGBT的充放电电流提高开关速度，降低IGBT的开关损耗和降低NPN三极管和PNP三极管的损耗，同时可以实现输出电压的幅值与驱动电压的幅值相同，避免了驱动电压幅值的变化，增加了驱动的可靠性。本专利技术所述的IGBT驱动电路包括智能驱动芯片、驱动...

【技术保护点】
一种IGBT驱动电路，其特征在于，所述的IGBT驱动电路中，驱动输入电源（V2）连接到智能驱动芯片（U1）的输入电源端口（Vc），同时驱动输入电源（V2）也作为稳压源（V1）的输入电源；稳压源（V1）的输出电压经过由电阻（R3）和稳压管（D2）串联组成的分压电路进行分压；第一电容（C2）与电阻（R3）并联；第二电容（C3）与稳压管（D2）并联；第一电容（C2）的正极与充电电阻（R4）的一端相连，充电电阻（R4）的另一端与NPN三极管（Q1）的集电极相连；NPN三极管（Q1）的发射极和PNP三极管（Q2）的发射极相连后与IGBT的栅极（G）相连；PNP三极管（Q2）的集电极与放电电阻（R5）的一端相连，放电电阻（R5）的另一端与第二电容（C3）的负极相连。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：苏伟，钟玉林，温旭辉，
申请(专利权)人：中国科学院电工研究所，
类型：发明
国别省市：

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