具自对准接触和栅极的石墨烯/纳米结构FET制造技术

一种形成场效晶体管(FET)的方法，所述方法包括：在衬底上沉积沟道材料，所述沟道材料包括石墨烯或纳米结构中的一种；在所述沟道材料的第一部分之上形成栅极；形成邻近所述栅极的间隔物；在所述沟道材料、栅极和间隔物之上沉积接触材料；在所述接触材料之上沉积介电材料；去除所述介电材料的一部分和所述接触材料的一部分以暴露所述栅极的所述顶部；使所述接触材料凹陷；去除所述介电材料；以及构图所述接触材料，以形成用于所述FET的自对准接触，所述自对准接触位于所述FET的源极区域和漏极区域之上，所述源极区域和所述漏极区域包括所述沟道材料的第二部分。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术一般涉及场效晶体管(FET)制造领域，以及特别地涉及基于石墨烯的FET制造领域。
技术介绍
石墨烯就是碳原子排列在六角苯环结构下的二维平面薄片。理论上，自支撑石墨烯结构只有在二维空间内才会稳定，这意味着三维空间内不存在真平面石墨烯结构，所形成的弯曲结构并不稳定，例如煤灰、富勒烯(fullerenes)、纳米管或扣环(buckled) 二维结构。然而，二维石墨烯结构支撑在衬底上时，例如在碳化硅(SiC)晶体表面上，会变得稳定。目前已经生产出自支撑石墨烯薄膜，但是可能不具备理想的平坦几何形状。结构上，石墨烯具有由Sp2杂化所形成的杂化轨道。在Sp2杂化当中，2s轨道以 及三个2p轨道当中的两个混合形成三个Sp2轨道。一个剩余P-轨道形成碳原子的间的Pi ( η )-键。类似于苯的结构，石墨烯的结构具有P轨道的共轭环，即，石墨烯结构为芳香性。与诸如金刚石、非晶碳、碳纳米泡沫或富勒烯的碳的其它同素异形体不同，石墨烯只是单一原子薄层。石墨烯具有不寻常的带结构，其中只有在动量空间内布里渊区的K点处才满足锥形电子与空穴袋。电荷载流子，即是电子或空穴的能量对于载流子的动量具有线性相依性本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：J·斯莱特，J·常，I·劳尔，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：
国别省市：