【技术实现步骤摘要】
本专利技术的实施例总体上涉及半导体制造，且具体而言，涉及一种。
技术介绍
集成电路中持续增大的器件密度致使器件性能和成本的不断改进。为了有利于器件密度的进一步增大，不断需要新技术以允许半导体器件的特征尺寸减小。用以有利于器件密度增大的一类半导体器件为鳍式场效应晶体管(fin fieldeffect transistor)或finFET。不同于较为传统的平面晶体管，finFET为三维结构,其中，晶体管的体由一般称作“鳍(fin)”的垂直结构形成，并且晶体管的栅极形成在fin的两侧或更多侧。finFET —般允许对短沟道FET器件电流进行较好的栅极控制，并且因此有利于 集成电路中的器件密度增大，而不降低器件性能或增大功耗。finFET的设计和制造中的重要缺点在于每个finFET器件一般均需要以两种方式电隔离。第一，每个finFET均需要与相邻的finFET隔离；第二，由于源极-漏极分离(decouple)防止或最小化了源极和漏极之间的截止态泄漏，所以特定的finFET器件中的源极和漏极需要相互隔离，以确保源极-漏极分离。为此，为了提供这样的电隔离，使用额外的处理步骤...
【技术保护点】
一种用于由半导体衬底形成器件的方法，该方法包括：由所述半导体衬底形成具有第一侧壁和第二侧壁并且由所述半导体衬底的材料构成的结构；在所述结构的所述第一侧壁上形成氧化阻挡层；以及执行各向同性氧化工艺，以生成将所述结构与所述半导体衬底的其余部分电隔离的绝缘阻挡层。
【技术特征摘要】
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