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诸如finFET器件的fin结构这样的构成半导体器件的一部分的结构形成在半导体衬底上并与其电隔离。该结构由半导体衬底材料构成，并通过绝缘阻挡层与半导体衬底的其余部分电隔离。该绝缘阻挡层通过氧化半导体衬底中未被氧化阻挡层所保护的部分的各向同性...
该专利属于辉达公司所有，仅供学习研究参考，未经过辉达公司授权不得商用。

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