包括无结的薄膜晶体管的存储器设备制造技术

技术编号:8244233 阅读:197 留言:0更新日期:2013-01-25 03:19
一种非易失性存储器设备(200)包括至少一个无结晶体管及一个存储区。无结晶体管是薄膜晶体管(TFT),并且包括有两个维度小于100纳米的无结、重掺杂的半导体沟道(204)。存储器设备可以是NAND快闪存储器或电阻-切换存储器。存储器单元可以在三维上集成。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:G撒玛奇萨J奥斯梅尔A麦尼亚
申请(专利权)人:桑迪士克科技股份有限公司
类型:
国别省市:

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