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一种形成场效晶体管(FET)的方法，所述方法包括：在衬底上沉积沟道材料，所述沟道材料包括石墨烯或纳米结构中的一种；在所述沟道材料的第一部分之上形成栅极；形成邻近所述栅极的间隔物；在所述沟道材料、栅极和间隔物之上沉积接触材料；在所述接触材料之...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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