一种阵列基板及液晶显示面板制造技术

本发明专利技术公开了一种应用于偏光式三维液晶显示的阵列基板，包括多个像素单元和作用于像素单元的电路，将像素单元分为主像素区域和次像素区域，并将电路布局在像素单元之间。本发明专利技术还提供一种偏光式三维液晶显示面板。通过上述方式，本发明专利技术能够在三维显示模式下能够提高液晶显示面板的开口率和穿透率，增加液晶显示面板的亮度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示
，特别是涉及一种阵列基板及液晶显示面板。
技术介绍
FPR (Film-type Patterned Retarder,偏光式)是现有3D液晶显示的成像方式之一。如图I所示,FPR 3D显示系统包括液晶显示面板11、偏光(Patterned Retarder)薄膜12以及偏光眼镜13。液晶显示面板101包括形成左眼信号的像素16、形成右眼信号的像素17以及两者之间的BM (Black Matrix，黑色矩阵)18。FPR 3D显示系统主要是通过附着在液晶显示面板11上的偏光薄膜12将3D画面分离成左眼图像14和右眼图像15，再经过偏光眼镜13将左眼图像14和右眼图像15分别送至用户的左、右眼睛。用户的左右眼接收到 两组图像，再经大脑合成立体影像。FPR 3D显示模式存在视角限制问题。当观看者处于较大视角位置时会出现双眼信号相互串扰的现象，如本应送到右眼的信号却被左眼同时观察到了，如图I虚线部分所示，由此会导致画面严重串扰，图像清晰度差。通常的解决方案是增加两个像素间BM 18的宽度，以减小双眼信号串扰的可能性。VA (Vertical Alignment,液晶垂直取向)型液晶显示面板在大视角观察时往往会发生颜色漂移现象，在大视角观看时容易出现色偏。为了提高大视角显示效果，通常会对液晶显示面板进行低色偏(Low color washout)设计。如图2所示,液晶显示面板的像素区域2包括主像素(Main Pixel)区域21和次像素(Sub Pixel)区域22，在主像素区域21和次像素区域22的交界处20设置有金属走线23，金属走线23包括充电扫描线(Charge Gate)23a、电荷共享扫描线(Share Gate) 23b和电荷共享电容23c。在正常显示时，充电扫描线23a打开，同时电荷共享扫描线23b关闭，主像素区域21和次像素区域22充电至相同的电位。随后，充电扫描线23a关闭，打开电荷共享扫描线23b，由于电荷共享电容23c的作用，使得次像素区域22的电位低于主像素区域21的电位。不同的电位使得主像素区域21和次像素区域22的液晶分子转向分布不相同，从而具备低射偏的效果。VA型显示面板相较于传统显示面板而言具有相当高的对比度和较短的响应时间，因此，通常将FPR 3D显示技术应用于VA型显示面板上来观看3D影像以获得更好的视觉体验。但是，在将上述的低色偏设计和FPR 3D显示技术相结合时，如图3所示，为了保证3D模式下的视角要求必须增加两像素间BM30的宽度。而对于低色偏的像素设计，一方面由于金属走线33所在的区域已存在BM，再增加其他区域的BM30宽度则会导致像素的开口率大幅降低，从而导致穿透率降低，显示面板的亮度也随之降低，成本增加；在另一方面，增加的BM30使得主像素区域31和次像素区域32相对应的区域面积比例大幅改变，导致上下视角会出现严重色偏。
技术实现思路
本专利技术主要解决的技术问题是提供一种阵列基板及液晶显示面板，能够满足液晶显示面板在三维显示模式的视角要求，提高液晶显示面板的开口率和穿透率，增加面板的亮度。为解决上述技术问题，本专利技术采用的一个技术方案是提供一种应用于偏光式三维液晶显示的阵列基板，包括多个像素单元，每个像素单元包括主像素区域和次像素区域；作用于像素单元的电路，电路布局于像素单元之间。其中，电路包括充电扫描线、电荷共享扫描线以及电荷共享电容，其中一个像素单元的充电扫描线、电荷共享扫描线以及电荷共享电容分别对应与相邻一像素单元的电荷共享扫描线和电荷共享电容、相邻另一像素单元的充电扫描线相邻。其中，电路包括用于对次像素区域输入电信号的次数据线，次数据线穿过主像素区域和次像素区域，以对次像素区域和电荷共享电容输入电信号。其中，电路包括用于对次像素区域输入电信号的次数据线，次数据线绕开主像素 区域并穿过次像素区域，以对次像素区域和电荷共享电容输入电信号。其中，电路包括用于对次像素区域输入电信号的次数据线，次数据线绕开主像素区域和次像素区域，以对次像素区域和电荷共享电容输入电信号。为解决上述技术问题，本专利技术采用的另一个技术方案是提供一种偏光式三维液晶显示面板，包括阵列基板和彩色滤光基板；彩色滤光基板包括黑色矩阵；阵列基板包括多个像素单元，每个像素单元包括主像素区域和次像素区域；作用于像素单元的电路，电路布局于像素单元之间，并且至少部分位于黑色矩阵垂直投影区域内。其中，电路包括充电扫描线、电荷共享扫描线以及电荷共享电容，其中一个像素单元的充电扫描线、电荷共享扫描线以及电荷共享电容分别对应与相邻一像素单元的电荷共享扫描线和电荷共享电容、相邻另一像素单元的充电扫描线相邻。其中，电路包括用于对次像素区域输入电信号的数据线，数据线穿过主像素区域和次像素区域，以对次像素区域和电荷共享电容输入电信号。其中，电路包括用于对次像素区域输入电信号的数据线，数据线绕开主像素区域并穿过次像素区域，以对次像素区域和电荷共享电容输入电信号。其中，电路包括用于对次像素区域输入电信号的数据线，数据线绕开主像素区域和次像素区域，以对次像素区域和电荷共享电容输入电信号。本专利技术的有益效果是区别于现有技术的情况，本专利技术的阵列基板，将像素单元分为主像素区域和次像素区域，并将作用于像素单元的电路布局在像素单元之间，以在三维显示模式下能够提高液晶显示面板的开口率和穿透率，增加液晶显示面板的亮度。附图说明图I是现有技术中一种FPR 3D显示系统的结构示意图，同时示出两种视角条件下的光路差异；图2是现有技术中一种FPR 3D显示系统的像素单元的金属走线布局的结构示意图；图3是图2中的像素单元在3D显示模式下黑色矩阵的分布示意图；图4是本专利技术应用于偏光式液晶显示的阵列基板的一实施方式的结构示意图；图5是图4中的电路的一实施方式的结构示意图；图6是图4中的电路的另一实施方式的结构示意图7是图4中的电路的又一实施方式的结构示意图；图8是本专利技术液晶显示面板的一实施方式的结构示意图。具体实施例方式本专利技术应用于偏光式三维液晶显示的阵列基板以及液晶显示面板，能够在三维显示模式下提高液晶显示面板的开口率和穿透率，增加液晶显示面板的亮度。 下面将结合附图和实施方式对本专利技术进行详细说明。参阅图4，在本专利技术应用于偏光式三维液晶显示的阵列基板的一实施方式中，阵列基板100包括多个像素单元101和作用于像素单元101的电路102。每个像素单元101包括主像素区域1011和次像素区域1012。电路102包括充电扫描线1021、电荷共享扫描线1022以及电荷共享电容1023。电路102布局于上下相邻的像素单元101之间。具体地，参阅图5，本实施方式以图4中上下相邻的两个像素单元为例进行说明，两个像素单元分别为第一像素单元201和第二像素单元202。第一像素单元201包括第一主像素区域2011和第一次像素区域2012，第二像素单元202包括第二主像素区域2021和第二次像素区域2022。第一电路(未标示)作用于第一像素单元201，包括第一充电扫描线2031、第一电荷共享扫描线2032以及第一电荷共享电容2033。第二电路(未标不)作用于第二像素单元202，包括第二充电扫描线2041、第二电荷共享扫描线2042以及第二电荷本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种应用于偏光式三维液晶显示的阵列基板，其特征在于，包括：多个像素单元，每个所述像素单元包括主像素区域和次像素区域；作用于所述像素单元的电路，所述电路布局于像素单元之间。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王醉，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：