发光二极管装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种发光二极管装置，包括：基板，所述基板上设置有绝缘层以及设置在所述绝缘层上通过正负极隔断绝缘设置的正负导电电极；支架，所述支架形成内凹开口并与所述基板配合形成发光二极管装置碗杯结构的投光口；发光二极管芯片，所述发光二极管芯片设置在所述基板上并电连接所述正负导电电极；所述发光二极管芯片包括蓝光芯片和红光芯片；并且：所述基板位于所述碗杯结构中心位置设置第一基板凹槽，所述蓝光芯片置于所述第一基板凹槽内；位于所述正负极隔断靠近所述支架的一侧的基板上设有第二基板凹槽，所述红光芯片置于所述第二基板凹槽内。本实用新型专利技术具有演色性高，光通量大的优点。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及发光二极管装置，尤其是涉及一种高演色性，高亮度的发光二极管装置。
技术介绍
随着发光二极管(Light Emitting Diode，LED)技术的日趋成熟，LED装置的应用领域也越来越广，人们对LED装置的要求也越来越高。高颜色性LED装置，通常采用将蓝光LED芯片与红光LED芯片封装在一个LED中 的方法，但是，这种方法制造的LED装置，由于红光芯片对蓝光芯片发出的光产生阻挡和吸收，产生LED装置的光源损失。这种LED装置具有光通量不足的缺点。因此，有必要提供一种改进，以得到演色性高，亮度高的发光二极管装置。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是提供一种高演色性、高亮度的发光二极管装置。为了实现上述目的，本技术采用以下技术方案一种发光二极管装置，包括基板，所述基板上设置有绝缘层以及设置在所述绝缘层上的正负导电电极，正负导电电极通过正负极隔断绝缘设置；支架，所述支架形成内凹开口并与所述基板配合形成发光二极管装置碗杯结构的投光口 ；发光二极管芯片，所述发光二极管芯片设置在所述基板上并电连接所述正负导电电极；所述发光二极管芯片包括蓝光发光二极管芯片和红光发光二极管芯片；并且所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管装置，包括：基板，所述基板上设置有绝缘层以及设置在所述绝缘层上的正负导电电极，正负导电电极通过正负极隔断绝缘设置；支架，所述支架形成内凹开口并与所述基板配合形成发光二极管装置碗杯结构的投光口；？发光二极管芯片，所述发光二极管芯片设置在所述基板上并电连接所述正负导电电极；所述发光二极管芯片包括蓝光发光二极管芯片和红光发光二极管芯片；其特征在于：所述基板位于所述碗杯结构中心位置设置第一基板凹槽，所述蓝光发光二极管芯片置于所述第一基板凹槽内；位于所述正负极隔断靠近所述支架的一侧的基板上设有第二基板凹槽，所述红光发光二极管芯片置于所述第二基板凹槽内。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：安国顺，张道峰，
申请(专利权)人：歌尔声学股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：