硅片检测装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种硅片检测装置，其包括支撑传送硅片的传送带、向硅片发射入射光的激光器、用于接收入射光于硅片上漫反射形成的反射光的影像传感器，激光器位于传送带上方并使激光器发出的入射光线与影像传感器接收的反射光线所构成的平面与硅片传送方向垂直。由于采用激光检测的办法并由于激光器与影像传感器的特殊安装方式，使得本实用新型专利技术对线痕的检测相对于现有技术而言其可靠性高，检测效率高，成本低。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及硅片检测装置，特别是涉及采用光学方法检测硅片缺陷的检测装置。
技术介绍
于太阳能电池的硅片制造过程中，在硅片出厂之前均需对其质量进行检测，如检测硅片的尺寸、翘曲度、裂痕以及电学性能等，并通过检测的参数淘汰劣质的硅片，或对硅片进行等级分类。硅片经进一步处理，如在表面形成导电栅线，最终形成可用来发电的电池片。由于娃片是由娃碇或娃棒利用线锯切割而成，在切割过程中容易于娃片表面形成线痕， 此线痕同样影响到成品电池片的品质，因此需对电池片表面的线痕进行检测。线痕的宽度通常在50-100微米之间，深度在10-100微米之间。如中国技术专利第201020223229. 9号揭示了一种检测硅片线痕的方式，其利用探针在硅片表面滑动，并记录探针的滑动曲线，从而实现线痕检测。这种方法虽可以检测线痕，但其检测效率较低，且本身接触式测量也会对被测物造成机械损伤，同时对检测工具的精度要求亦很高。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题在于，提供一种可靠高效的用于检测线痕的硅片检测装置。本技术是通过以下的技术方案实现一种硅片检测装置，包括支撑传送硅片的传送带、向硅片发射入射光的激光器、用于接收入射光于硅片上漫本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硅片检测装置，包括：支撑传送硅片的传送带、向硅片发射入射光的激光器、用于接收入射光于硅片上漫反射形成的反射光的影像传感器，其特征在于：激光器位于传送带上方并使激光器发出的入射光线与影像传感器所接收的反射光线所构成的平面与硅片传送方向垂直。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘夏初，苗新利，潘加永，
申请(专利权)人：库特勒自动化系统苏州有限公司，
类型：实用新型
国别省市：